【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內(nèi)唯一一本全面報道封裝與測試技術、半導體器件和IC設計與制造技術、產(chǎn)品與應用以及前沿技術、市場信息等的技術性刊物,是中國電子學會生產(chǎn)技術學分會(電子封裝專業(yè))會刊、中國半導體行業(yè)協(xié)會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網(wǎng)來源刊

　　【欄目設置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設計與測試、器件與制造、支撐技術、產(chǎn)品、應用與市場。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　有關QFN72和CQFN72的熱阻計算 賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復合封裝基板的制備 李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究 黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法 趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設計 徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準電流源電路設計 黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環(huán)頻率合成器 楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術的FPGA開發(fā)平臺設計 張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究 鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術的研究 朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數(shù)穩(wěn)定性控制方法 王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應仿真研究 高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設計可靠性研究 王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應用分析

　　摘 要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質(zhì)中，通過發(fā)生反應對金屬的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有更好的認識，與機械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產(chǎn)生的雜質(zhì)，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節(jié)約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應用進行了簡要分析。

　　關鍵詞：管理科學,不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內(nèi)部結(jié)構(gòu)的物理或化學狀態(tài)，反映金相的具體形態(tài)叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機械法以及電解法等。人工法現(xiàn)在已很少用，機械法因為需要進行拋光，往往會在磨光面上出現(xiàn)一些雜質(zhì)，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內(nèi)就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

Sn-Pb銅核微焊點液-固界面反應及力學性能研究————作者：丁鈺罡;陳湜;喬媛媛;趙寧;

摘要：Cu核微焊點相比傳統(tǒng)Sn基微焊點具有更好的導電、導熱及力學性能，且可有效控制焊點高度。本文首先探究了Sn-Pb合金電沉積工藝，隨后電鍍制備出Cu@Sn-Pb、Cu@Ni@Sn-Pb兩種Cu核微焊球，進一步研究了微焊點在250 ℃下回流的液-固界面反應，并探究了微焊點的剪切斷裂機理。結(jié)果表明，Sn-Pb鍍層成分受Pb²⁺濃度、絡合劑濃度、電流密度以及鍍液溫度等因素影響。鍍液溫度...

大功率LED投光燈死燈、暗亮失效分析探究————作者：馮學亮;劉興龍;周小霍;吳冰冰;曾志衛(wèi);

摘要：通過失效復現(xiàn)確認了大功率LED投光燈死燈、暗亮的失效現(xiàn)象。通過對異常燈珠半導體特性測試，確定了燈珠死燈、暗亮的失效模式主要表現(xiàn)為開路及漏電。開路及漏電燈珠外觀檢查，二者晶元位置同一側(cè)均發(fā)現(xiàn)發(fā)黑異常，疑似晶元表面存在燒毀現(xiàn)象。化學開封后，開路燈珠晶元表面陰極位置均存在電極擊穿燒毀脫開異常，漏電燈珠晶元表面finger位置同樣存在擊穿燒毀現(xiàn)象。經(jīng)對失效燈板上發(fā)光正常燈珠晶元表面FIB及CP-SEM分析...

高效率LSTM硬件加速器設計與實現(xiàn)————作者：陳鎧;賀傍;滕紫珩;傅玉祥;李世平;

摘要：相比于傳統(tǒng)循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(RNN)，長短期記憶網(wǎng)絡(LSTM)增加了多個門控單元和記憶單元，可以有效解決傳統(tǒng)RNN網(wǎng)絡梯度消失和梯度爆炸的問題。由于在處理復雜序列依賴性問題上具有優(yōu)勢，LSTM網(wǎng)絡廣泛應用于機器翻譯、情感分析、文本分類等自然語言處理應用中。隨著智能應用復雜度增加，LSTM網(wǎng)絡層數(shù)、隱藏層節(jié)點數(shù)的增多，對端側(cè)處理器件的存儲容量、訪存帶寬、處理性能的要求也劇烈增加。論文分析LSTM算法特...

基于循環(huán)內(nèi)聚力模型的TSV界面裂紋擴展模擬研究————作者：黃玉亮;秦飛;吳道偉;李逵;張雨婷;代巖偉;

摘要：TSV界面可靠性問題一直是電子封裝領域關注的熱點。通過數(shù)值模擬的方法，采用循環(huán)內(nèi)聚力模型研究了溫度循環(huán)載荷下Cu和SiO₂界面損傷開裂問題。首先，在雙線性內(nèi)聚力模型基礎上建立了考慮疲勞損傷的循環(huán)內(nèi)聚力模型，并驗證了模型的合理性。最終，模擬了不同尺寸TSV結(jié)構(gòu)在溫度循環(huán)載荷下Cu和SiO₂界面的損傷開裂現(xiàn)象，并對其規(guī)律進行了研究。研究結(jié)果表明，溫度循環(huán)過程...

四甲基氫氧化銨溶液溫度對硅槽刻蝕的研究————作者：張可可;趙金茹;周立鵬;

摘要：隨著MEMS壓力傳感器應用領域的不斷擴展，研究團隊研究了壓力傳感器中關鍵的應力敏感薄膜刻蝕，進行了四甲基氫氧化銨溶液在不同溫度條件下對硅槽刻蝕的試驗，通過臺階測試儀、掃描電子顯微鏡等設備進行硅槽刻蝕表征測試，分析了溫度對硅槽刻蝕速率、表面形貌、均勻性的影響，得出刻蝕溫度在80 ℃時，最佳均勻性為0.039%，合格率達到92.67%的高平整度硅深槽結(jié)構(gòu)的結(jié)論

2.5D封裝關鍵技術的研究進展————作者：馬千里;馬永輝;鐘誠;李曉;廉重;劉志權(quán);

摘要：隨著摩爾定律在晶體管微縮領域逼近物理極限，先進封裝技術通過系統(tǒng)微型化與異構(gòu)集成，成為突破芯片性能瓶頸的關鍵路徑。作為先進封裝的核心分支，2.5D封裝通過硅/玻璃中介層實現(xiàn)高密度互連與多芯片異構(gòu)集成，兼具高帶寬、低延遲和小型化優(yōu)勢，廣泛應用于人工智能、高性能計算及移動電子領域。本文系統(tǒng)闡述了2.5D封裝的核心結(jié)構(gòu)(如CoWoS、EMIB和I-Cube)及其技術特征，重點剖析了小芯片(Chiplet)...

面向碳納米管集成電路的新型靜電放電防護結(jié)構(gòu)研究————作者：金浩然;劉俊良;梁海蓮;顧曉峰;

摘要：針對碳基集成電路靜電放電（ESD）防護器件存在失效電流差和失效電壓低等問題，基于柵控電場調(diào)制技術與動態(tài)電位調(diào)制的協(xié)同設計理論，系統(tǒng)性地提出了兩種新型碳納米管場效應晶體管（CNTFET）ESD防護器件。首先，通過研究傳統(tǒng)CNTFET的直流特性，當施加高柵極電壓時，CNTFET處于高阻狀態(tài)特性，符合ESD防護設計需求。基于此，創(chuàng)新性地提出了柵接漏（GD）CNTFET結(jié)構(gòu)，實驗結(jié)果表明GD-CNTFET...

基于AiP8F7232的無刷電動工具控制器設計————作者：馬文博;蔡嘉威;羅明;

摘要：針對需求量日益增高的無刷電動工具控制器，結(jié)合當前主流設計要求，設計了一種基于AiP8F7232微控制器的無刷電動工具控制器設計方案。該設計在硬件架構(gòu)設計上充分結(jié)合AiP8F7232微控制器電機專用外設特點，簡潔高效、集成度高。軟件架構(gòu)上針對電動工具應用特點，設計了電機驅(qū)動控制策略，控制器保護策略，功能完整度高。通過實驗驗證，所設計的控制器運行時電機起動無反轉(zhuǎn)，閉環(huán)加速時間小于100 ms、中速段運...

金屬種子層PVD濺射系統(tǒng)在板級先進封裝中的應用————作者：張曉軍;李婷;胡小波;楊洪生;陳志強;方安安;

摘要：PVD濺射系統(tǒng)作為板級先進封裝的關鍵工藝設備之一，其性能直接影響到封裝質(zhì)量和可靠性。本文介紹了應用于大尺寸(510 mm×515 mm及以上）面板級先進封裝的濺射系統(tǒng)，該系統(tǒng)配置了多個單元模塊，降低工藝成本的同時實現(xiàn)連續(xù)自動化濺射鍍膜生產(chǎn)，自研的大尺寸陰極濺射系統(tǒng)可以有效提高沉積速率，同時提升靶材利用率至50%以上；自研冷卻系統(tǒng)能顯著降低基板表面溫度，改善翹曲，實現(xiàn)更精細地控制；此外，510 mm...

三維集成銅-銅低溫鍵合技術的研究進展————作者：陳桂;邵云皓;屈新萍;

摘要：隨著集成電路制造技術對高性能、高集成度和低功耗的需求不斷增加，三維集成電路（3D IC）技術成為提升芯片性能和集成度的有效途徑。金屬Cu具有低電阻率、優(yōu)異的導熱性和抗電遷移能力，能夠提供高效的電氣連接和熱管理性能。低溫銅-銅（Cu-Cu）鍵合技術因其在高密度互連、良好的導電性和導熱性方面的優(yōu)勢，成為先進封裝的核心技術之一，受到廣泛關注。文中探討了Cu-Cu鍵合技術面臨的主要挑戰(zhàn)及其解決方案，總結(jié)了...

“第三代半導體功率電子封裝技術”專題前言————作者：田艷紅;

摘要：<正>以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為首的第三代半導體材料，具有高禁帶寬度、高電子遷移率和高熱導率等優(yōu)勢，可以顯著提升高功率電力電子器件的系統(tǒng)性能和可靠性，實現(xiàn)更高效的能源轉(zhuǎn)換、更快速的數(shù)據(jù)傳輸和更強勁的信號傳導，在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中發(fā)揮著關鍵作用，其應用范圍涵蓋新能源汽車、光伏儲能、電力傳輸、高速列車以及航空航天等諸多關鍵領域。根據(jù)市場研究機構(gòu)預測，未來幾年全球第三代半導體器件市場規(guī)模將持續(xù)增...

功率器件封裝用納米銅焊膏及其燒結(jié)技術研究進展————作者：王秀琦;李一凡;羅子康;陸大世;計紅軍;

摘要：以第三代半導體為核心的功率電子器件向高功率密度、高結(jié)溫方向的發(fā)展對封裝互連材料、工藝及服役條件下的可靠性都提出了嚴苛的挑戰(zhàn)。納米銅（Cu）焊膏具有低成本、抗電遷移性、優(yōu)異的導電導熱性能和“低溫燒結(jié)、高溫服役”特性，是1種極具工業(yè)化潛力的功率器件封裝候選材料，受到廣大研究者的密切關注。然而，相比于納米銀（Ag）焊膏，納米銅焊膏的穩(wěn)定性（易氧化）和低溫燒結(jié)性能仍有較大的差距。根據(jù)試驗結(jié)果，從燒結(jié)機理、...

乙基纖維素影響下的微米銀焊膏和納米銀焊膏燒結(jié)對比研究————作者：喻龍波;夏志東;鄧文皓;林文良;周煒;郭福;

摘要：微米銀（Ag MPs）焊膏和納米銀（Ag NPs）焊膏因其低溫燒結(jié)、高溫服役的特點而成為最有可能用于高溫封裝的連接材料。研究了乙基纖維素對Ag MPs和Ag NPs焊膏燒結(jié)結(jié)果的影響，分析了相同條件下2組焊膏燒結(jié)結(jié)果存在差異的原因。結(jié)果表明，在無壓、250℃、空氣條件下，添加質(zhì)量分數(shù)為5%的乙基纖維素，2組焊膏的燒結(jié)性能較好，Ag MPs焊膏燒結(jié)所得接頭強度和薄膜電阻率為8.57 MPa和4.25...

燒結(jié)銀陣列互連雙面散熱SiC半橋模塊的散熱和應力仿真————作者：逄卓;趙海強;徐濤濤;張浩波;王美玉;

摘要：基于燒結(jié)銀作為芯片互連層的雙面散熱Si C半橋模塊，改變芯片頂面與基板的燒結(jié)銀連接層形狀為片狀、圓柱陣列和長方體陣列，進行了散熱和熱應力仿真。仿真結(jié)果表明，得益于燒結(jié)銀較高的熱導率，改變燒結(jié)銀層的形狀對散熱性能影響很小。相比于片狀燒結(jié)銀互連模塊，采用圓柱陣列和長方體陣列燒結(jié)銀互連的模塊，其結(jié)溫最大僅升高0.2℃和0.14℃。由于陣列模型中的燒結(jié)銀互連層通過多個微小連接點有效分散和緩解了熱應力，圓柱...

納米銅粉的制備方法及其在電子封裝行業(yè)的應用————作者：王一帆;汪根深;孫德旺;陸冰滬;章瑋;李明鋼;

摘要：納米銅粉在電子封裝領域可作為漿料的填充材料實現(xiàn)低溫燒結(jié)，替代價格較高的銀，具有廣闊的應用前景。納米銅粉的尺寸、形貌、純度等與制備方法密切相關，有必要深入了解不同制備方法，實現(xiàn)粒徑精準控制。綜述了3種主流的納米銅粉制備方法，重點對成本較低的液相還原法進行了介紹。介紹了納米銅粉在低溫燒結(jié)銅漿中的應用，分析了漿料成分、燒結(jié)參數(shù)等因素對銅漿燒結(jié)性能的影響，指明了納米銅粉的技術瓶頸及發(fā)展趨勢，納米銅粉的粒徑...

GaN芯片封裝技術研究進展與趨勢————作者：宋海濤;王霄;龔平;朱霞;李楊;劉璋成;閆大為;陳治偉;尤杰;敖金平;

摘要：作為第三代半導體材料，GaN因其高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異特性，正被廣泛應用于高頻、高功率電子器件。然而，其封裝技術面臨諸如熱管理、電氣性能優(yōu)化以及封裝可靠性等挑戰(zhàn)，同時還需要滿足更緊湊、更集成的需求。重點討論了目前GaN芯片封裝的多種解決方案，包括晶體管外形（TO）封裝、四邊扁平無引線（QFN）封裝等分立器件封裝結(jié)構(gòu)，晶圓級封裝（WLP）、多芯片模塊（MCM）合封器件封裝結(jié)構(gòu)以及諸多先進封裝...

三維高速高頻封裝的信號完整性寬帶建模設計方法————作者：葛霈 ;朱浩然 ;魯加國;

摘要：<正>由于集成電路工藝精度不斷趨近于物理極限，沿著摩爾定律發(fā)展的同質(zhì)集成已經(jīng)不能滿足要求。然而，隨著模擬/射頻電路的工作速率和頻率朝著太赫茲方向提升，由3D系統(tǒng)級封裝高密度集成引發(fā)的內(nèi)部高速、高頻芯片間的信號完整性與電磁兼容問題變得尤為突出。因此，開展信號完整性分析并設計適用于3D封裝系統(tǒng)的寬帶補償結(jié)構(gòu)，對于提升先進封裝的傳輸性能極為重要

氮化鎵(多晶硅)異質(zhì)結(jié)勢壘肖特基二極管的載流子傳輸機制研究————作者：薛文文;丁繼洪;張彥文;黃偉;張衛(wèi);

摘要：開展了基于GaN（p-PolySi）結(jié)構(gòu)的新型異質(zhì)結(jié)勢壘肖特基（HJBS）二極管及其輸運機制研究。研究結(jié)果表明，器件正反向偏壓的工作機理均與GaN/polySi異質(zhì)結(jié)處形成的缺陷相關。在-80～+80 ℃的偏置溫度范圍內(nèi)，不同偏壓和溫度范圍下該器件具有不同的電流輸運機制。1)在正向偏壓下，器件處于Ⅰ區(qū)域(V_f < 0.5 V)且溫度高于-20 ℃時，多隧道捕獲-發(fā)射模式（MT...

耦合聲子晶體對聲波器件品質(zhì)因子的提高————作者：黃澤宙;胡婉雪;沈宇恒;方照詒;沈坤慶;

摘要：提出一種基于耦合聲子晶體的氮化鎵聲表面波諧振器結(jié)構(gòu)，旨在提高器件品質(zhì)因子。為了驗證該結(jié)構(gòu)的可行性，采用COMSOL Multiphysics 6.2仿真軟件，比較了基于一維聲子晶體反射柵和金屬反射柵的聲表面波諧振器。仿真結(jié)果表明，一維聲子晶體反射柵的傳輸損耗-24.29 dB，而金屬反射柵的傳輸損耗僅為-15.5 dB。設計了具有100對叉指換能器，20對金屬反射柵，電極寬度400 nm的聲表面波...

200 mm BCD器件用Si外延片滑移線控制研究————作者：謝進;鄧雪華;郭佳龍;王銀海;

摘要：重點研究直徑200 mm BCD器件用Si外延片滑移線的影響因素，進而探究超高溫條件下滑移線的工藝控制方法。結(jié)合BCD器件用Si外延片特性要求，分析石墨基座位置、襯底電阻率分布、溫度分布對于超高溫條件下外延層滑移線的影響，優(yōu)化外延控制方法。采用常壓高溫化學氣相沉積技術(APHT-CVD)進行BCD器件用Si外延片的制備，并通過Hg-CV、FTIR、4PP、SP1、SRP對于外延片測試分析，證明了此...

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