【雜志簡介】

　　《電子工藝技術(shù)》是我國電子行業(yè)生產(chǎn)技術(shù)綜合性科技期刊，該刊集眾多專業(yè)為一體，突出工藝特色，凡是與電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程相關(guān)的技術(shù)，都是該刊的報(bào)道范圍。本刊是信息產(chǎn)業(yè)部優(yōu)秀科技期刊，山西省一級(jí)期刊，全國電子行業(yè)核心期刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　信息產(chǎn)業(yè)部優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)

　　山西省一級(jí)期刊

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：綜述、新工藝新技術(shù)、國外工藝文獻(xiàn)導(dǎo)讀、市聲信息、國外工藝文獻(xiàn)導(dǎo)讀、市場(chǎng)信息。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　微系統(tǒng)技術(shù)應(yīng)用前景廣闊--寫在《微系統(tǒng)技術(shù)》欄目開辟之際 郝繼山

　　微系統(tǒng)功能模塊集成工藝發(fā)展趨勢(shì)及挑戰(zhàn) 劉志輝，吳明遠(yuǎn)，LIU Zhi-hui，WU Ming-yuan

　　系統(tǒng)工程方法論在微系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用探索 金長林，郝繼山，羅海坤，JIN Chang-lin，HAO Ji-shan，LUO Hai-kun

　　灌封工藝在電連接器尾部加固中的應(yīng)用 王玉龍，石寶松，李靜秋，WANG Yu-long，SHI Bao-hong，LI Jing-qiu

　　飛針測(cè)試在數(shù)字T/R組件檢測(cè)中的應(yīng)用 鄧威，蔣慶磊，劉剛，房迅雷，DENG Wei，JIANG Qing-lei，LIU Gang，F(xiàn)ANG Xun-lei

　　金粉和玻璃粉對(duì)厚膜金導(dǎo)體漿料的性能影響 趙瑩，張建益，陸冬梅，趙科良，孫社稷，ZHAO Ying，ZHANG Jian-yi，LU Dong-mei，ZHAO Ke-liang，SUN She-ji

　　基于Si基芯片的Au/Al鍵合可靠性研究 王慧君，龔冰，崔洪波，WANG Hui-jun，GONG Bing，CUI Hong-bo

　　3 mm 頻段InP HEMT 低噪聲器件研究 廖龍忠，張力江，孫希國，崔玉興，付興昌，LIAO Long-zhong，ZHANG Li-jiang，SUN Xi-guo，CUI Yu-xing，F(xiàn)U Xing-chang

　　0.25μm高精度T型柵制作工藝研究 孫希國，崔玉興，付興昌，SUN Xi-guo，CUI Yu-xing，F(xiàn)U Xing-chang

　　微波功率芯片真空焊接工藝研究 羅頭平，寇亞男，崔洪波，LUO Tou-ping，KOU Ya-nan，CUI Hong-bo

　　PCB組件水清洗工藝技術(shù)研究 林小平，付維林，LIN Xiao-ping，F(xiàn)U Wei-lin

　　激光參數(shù)對(duì)鋁硅殼體焊縫形貌和氣密性能影響 王傳偉，雷黨剛，梁寧，胡駿，宋夏，楊靖輝，方坤

　　低溫共燒PZT壓電陶瓷材料的研制 文理，WEN Li

　　中級(jí)工程師職稱論文范文：移動(dòng)社交網(wǎng)絡(luò)服務(wù)融合電子商務(wù)的盈利模式分析

　　摘要：社交網(wǎng)絡(luò)是用于服務(wù)用戶社交功能的網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)。社交網(wǎng)站起源于美國，典型的代表是臉書網(wǎng)，聚友網(wǎng)等，在移動(dòng)終端方面還有近兩年來興起的Instagram，中國社交網(wǎng)站雖然發(fā)展緩慢，但是隨著人人網(wǎng)和開心網(wǎng)的不斷發(fā)展，國內(nèi)社交網(wǎng)絡(luò)也日益壯大，社交網(wǎng)站由于注冊(cè)人數(shù)和流量多而隱藏著巨大的商業(yè)潛力，但是我國本土的社交網(wǎng)站缺乏清晰的盈利模式，任何企業(yè)都是以盈利為主要目的，本文將主要通過分析比對(duì)國內(nèi)外典型社交網(wǎng)站盈利模式，研究社交網(wǎng)絡(luò)融合電子商務(wù)的應(yīng)用，希望能給中國移動(dòng)社交網(wǎng)站提供一個(gè)參考。

　　關(guān)鍵詞：移動(dòng)社交網(wǎng)絡(luò),電子商務(wù),盈利模式

　　近幾年，移動(dòng)終端應(yīng)用的發(fā)展速度比作雨后春筍一點(diǎn)都不夸張，各大社交網(wǎng)絡(luò)都相繼開展了自己在移動(dòng)終端的市場(chǎng)，不過是社交網(wǎng)絡(luò)巨大影響力的一個(gè)縮影，我們主要以探索社交網(wǎng)絡(luò)在電子商務(wù)方面的盈利模式為主，社交網(wǎng)絡(luò)讓以人為單位的個(gè)體在互聯(lián)網(wǎng)有了全新的交流模式，重新定義了社交的含義，它是作為一個(gè)社交平臺(tái)而出現(xiàn)的，但同時(shí)它更是一個(gè)賺錢的企業(yè)，除了較大的社交網(wǎng)絡(luò)，很多社交網(wǎng)站都沒有生存下來，那么目前社交網(wǎng)絡(luò)主要的盈利模式主要有哪些呢?如何結(jié)合移動(dòng)設(shè)備終端，利用自己的社交網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合電子商務(wù)來進(jìn)行企業(yè)的盈利模式使我們分析的問題。

　　電子工藝技術(shù)最新期刊目錄

某型PBGA芯片混裝回流焊工藝及質(zhì)量控制————作者：楊偉;黎全英;巫應(yīng)剛;任康橋;

摘要：為滿足電子設(shè)備可靠性要求，新品元器件在產(chǎn)品裝配前首先應(yīng)分析潛在的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，然后開展工藝驗(yàn)證，最后得出新品元器件的生產(chǎn)工藝和質(zhì)量控制措施。針對(duì)某型FC-PBGA 芯片，分析了芯片結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及生產(chǎn)工藝對(duì)芯片的影響，根據(jù)引起芯片分層的質(zhì)量控制要點(diǎn)，提出混裝回流焊工藝驗(yàn)證方案，從存儲(chǔ)、烘烤、車間放置、回流焊進(jìn)行了工藝試驗(yàn)，結(jié)合聲學(xué)掃描檢測(cè)，得出了最佳工藝參數(shù)及生產(chǎn)過程控制措施，再從實(shí)際產(chǎn)品多芯片焊接需求出發(fā)...

小型超寬帶微波溫度補(bǔ)償電路————作者：張濤;王歡;羅秋艷;林宏聲;

摘要：提出了一種新型超寬帶微波溫度補(bǔ)償電路，由超寬帶柵壓可控放大電路、柵壓控制電路組成，兩部分電路配合形成良好的射頻增益溫補(bǔ)效果。經(jīng)應(yīng)用實(shí)測(cè)，該微波溫度補(bǔ)償電路能夠在S～Ku超寬頻段范圍內(nèi)除彌補(bǔ)放大器自身增益溫度變化外，在高溫+85 ℃額外提供0.5 dB補(bǔ)償，在低溫-55 ℃額外提供1.0 dB補(bǔ)償，且溫補(bǔ)效果不隨頻率惡化。該溫補(bǔ)電路無需額外增加無源溫補(bǔ)衰減器或電調(diào)衰減模塊，具有小型化、低成本、寬工作...

國產(chǎn)化LTCC基陶瓷管殼的可靠性分析————作者：盧會(huì)湘;柴昭爾;徐亞新;唐小平;李攀峰;田玉;王康;韓威;尹學(xué)全;

摘要：針對(duì)低溫共燒陶瓷(LTCC)基陶瓷管殼開展了國產(chǎn)化替代研究，采用化學(xué)鍍鎳鈀金工藝提高焊盤的焊接可靠性。通過鍵合強(qiáng)度、耐焊性和氣密性的檢測(cè)，對(duì)管殼及鍍層質(zhì)量進(jìn)行全面評(píng)估，并通過溫度循環(huán)及多批次重復(fù)驗(yàn)證，保證了陶瓷管殼的穩(wěn)定性、一致性。結(jié)果表明，所選用的國產(chǎn)可化鍍LTCC材料具有較好的應(yīng)用前景

多芯片組件功率芯片粘接失效分析及工藝改進(jìn)————作者：孫鑫;金家富;閔志先;吳偉;張建;何威;

摘要：在微波多芯片組件中，VDMOS功率芯片常見的組裝模式為粘接或焊接。導(dǎo)電膠粘接芯片雖具有操作簡單、工藝溫度低和便于返修的優(yōu)點(diǎn)，但芯片的流片過程中易引入污染，在水、氧氣條件下與背金電鍍Ni層、導(dǎo)電膠Ag粉發(fā)生電化學(xué)腐蝕，導(dǎo)致接觸電阻增大的失效現(xiàn)象。經(jīng)試驗(yàn)分析發(fā)現(xiàn)，芯片背面污染無有效的去除方法，為避免污染物對(duì)電性能的影響，將粘接改為焊接后粘接，即芯片先焊接到鉬銅載體上，檢查釬透率合格后再用導(dǎo)電膠粘接到基...

全銀體系國產(chǎn)化LTCC基板工藝的關(guān)鍵技術(shù)————作者：馬濤;張鵬飛;李靖巍;

摘要：研究了全銀體系國產(chǎn)化LTCC基板的填孔、燒結(jié)及化學(xué)鍍鎳鈀金工藝。分析了漿料性能和掩模版參數(shù)對(duì)填孔工藝質(zhì)量的影響，探討了基板燒結(jié)平整性與收縮一致性的控制方案，并剖析了化學(xué)鍍鎳鈀金工藝的影響因素。研究表明，填孔漿料的收縮率、觸變性能以及掩模版的厚度和孔徑均會(huì)顯著影響填孔工藝質(zhì)量；導(dǎo)體漿料的燒結(jié)收縮率、基板燒結(jié)溫度及等靜壓工藝則直接關(guān)系基板的平整性和收縮一致性；LTCC材料特性及化學(xué)鍍鎳鈀金工藝對(duì)表層金...

μBGA焊接缺陷分析與改善————作者：高燕青;黎全英;

摘要：BGA器件的出現(xiàn)促進(jìn)了SMT的發(fā)展和革新，因其高度集成、體積小、性能穩(wěn)定，在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，μBGA是一種更小的BGA形式。對(duì)μBGA器件出現(xiàn)的焊接缺陷進(jìn)行了分析，排除了焊接工藝問題、器件本身問題。通過優(yōu)化印制板焊盤的設(shè)計(jì)方式，解決了μBGA焊接缺陷

LTCC電路板化學(xué)沉積ENEPIG層焊盤內(nèi)縮失效分析————作者：王玉廷;韓錫正;

摘要：以低溫共燒陶瓷(LTCC)共晶焊接時(shí)焊盤內(nèi)縮為例，通過宏觀形貌檢查、X-ray膜厚衍射測(cè)試、電子顯微鏡掃描、X-ray能譜分析及截面分析等方法，探索失效原因與機(jī)理。通過元素面掃描圖像發(fā)現(xiàn)鎳層表面有異常氧化與磷聚集現(xiàn)象，這是最終導(dǎo)致焊盤表面共晶焊接時(shí)焊料內(nèi)縮的主要誘因

小型化LTCC帶阻濾波器的設(shè)計(jì)與研制————作者：王志華;林亞梅;黎燕林;蒙騰奧;楊俊雅;

摘要：采用LTCC工藝設(shè)計(jì)一種集總元件結(jié)構(gòu)帶阻濾波器，先用ADS 軟件優(yōu)化仿真獲得電路元件初始值，然后采用微波電磁場(chǎng)仿真軟件HFSS對(duì)濾波器物理模型優(yōu)化仿真。其中諧振單元采用左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)，降低三維模型調(diào)試難度。螺旋電感以雙層介質(zhì)層線路為基礎(chǔ)進(jìn)行環(huán)繞降低耦合電容的值。成功設(shè)計(jì)了一種LTCC帶阻濾波器，其中心頻率為1 500 MHz，在帶阻1 450 ～1 550 MHz范圍內(nèi)衰減量大于32 dB，在通帶1...

生瓷片覆膜工藝關(guān)鍵技術(shù)————作者：莊園;

摘要：通過系統(tǒng)解析LTCC覆膜工藝的流程特征及技術(shù)瓶頸，重點(diǎn)突破生瓷片覆膜過程中的疊層精度控制、界面結(jié)合強(qiáng)度優(yōu)化等關(guān)鍵技術(shù)，顯著提升了膜層均勻性與圖形對(duì)準(zhǔn)精度，最終形成具備工程應(yīng)用價(jià)值的高可靠性覆膜解決方案。研究通過系統(tǒng)性技術(shù)攻關(guān)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵工藝指標(biāo)的突破，為LTCC器件微互連技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展提供了重要技術(shù)支撐

LTCC基板共燒焊盤的可焊性分析————作者：孫建彬;陳翔;董軍榮;

摘要：FBGA與LTCC基板的焊接可靠性直接影響TR組件的功能實(shí)現(xiàn)以及性能一致性。針對(duì)樣件中出現(xiàn)的虛焊，進(jìn)行了各種原因分析，最終確認(rèn)LTCC基板共燒焊盤上玻璃相富集是導(dǎo)致焊接可靠性下降的主要原因，同時(shí)分析了玻璃相產(chǎn)生的機(jī)理及其影響因素。通過大量樣件試驗(yàn)，探索出適合本項(xiàng)目的LTCC燒結(jié)溫度，為后續(xù)量產(chǎn)提供技術(shù)保障

晶圓鍵合加壓精度控制技術(shù)————作者：李安華;李文浩;郭靜楓;

摘要：為解決晶圓鍵合加壓精度控制問題，提高鍵合質(zhì)量水平，以伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)缸加壓系統(tǒng)為例進(jìn)行研究。重點(diǎn)對(duì)壓力傳感器實(shí)時(shí)反饋與ARM控制器閉環(huán)控制技術(shù)進(jìn)行分析，闡述在晶圓鍵合過程中的應(yīng)用效果，并以此為基礎(chǔ)提出柔性力自平行加壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)建議，通過系統(tǒng)化試驗(yàn)的方式進(jìn)行研究。結(jié)果表明：該控制方法具有優(yōu)異的加壓精度控制能力，位移控制精度可達(dá)±1%，鍵合力控制精度達(dá)到±0.5%，研究結(jié)果具有較強(qiáng)的實(shí)用性，能夠?yàn)榘雽?dǎo)體...

立式LPCVD設(shè)備的設(shè)計(jì)————作者：陳慶廣;樊坤;趙瓛;黃志海;鄭紅應(yīng);

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)的臥式爐特點(diǎn)，從目前8～12英寸90 nm到28 nm制程的工藝需求出發(fā)，提出了一種立式LPCVD設(shè)備設(shè)計(jì)方案。設(shè)備對(duì)標(biāo)國際主流應(yīng)用裝備，結(jié)合主流FAB產(chǎn)線大尺寸晶圓、高溫度均勻性、顆粒污染控制、全自動(dòng)控制的需求，進(jìn)行了設(shè)備的針對(duì)性設(shè)計(jì)。產(chǎn)線驗(yàn)證結(jié)果表明，設(shè)備各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)均滿足工藝要求

基于激光剝離的SiC晶錠電阻率的在線檢測(cè)平臺(tái)————作者：李曉燕;張志耀;邢夏斌;段云森;

摘要：SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，生產(chǎn)成本高，所以要求SiC晶錠切出盡可能多的晶片，就對(duì)切割工藝提出更高的要求。但是，SiC晶錠不可避免會(huì)有“小面”，這將影響晶錠到晶片激光剝離的良率及效率。為此，研究用檢測(cè)晶錠表面電阻率的方法，把小面區(qū)域檢測(cè)出來，以便精準(zhǔn)施加激光能量，提高激光剝離的成品率及效率，實(shí)現(xiàn)激光剝離設(shè)備的智能化、自動(dòng)化

LPCVD制備二氧化硅薄膜工藝中防顆粒污染技術(shù)————作者：樊坤;黃志海;王理正;王志偉;蘇子懿;

摘要：二氧化硅（SiO₂）薄膜制備作為集成電路制造工藝中重要的一個(gè)步驟，在芯片的制造過程中具有多種用途，但易受顆粒污染造成產(chǎn)品不良。對(duì)采用TEOS源LPCVD法沉積SiO₂膜顆粒污染的方法進(jìn)行了探索，設(shè)計(jì)了一種用于防顆粒污染的機(jī)構(gòu)，該機(jī)構(gòu)主要包括微環(huán)境系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)，重點(diǎn)介紹了立式LPCVD設(shè)備工藝顆粒來源、微環(huán)境系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成，以及微環(huán)境系統(tǒng)...

基于DMAIC模型的高純石墨粉純化工藝————作者：楊靜;張桂蕓;

摘要：隨著石墨粉的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬，對(duì)石墨粉的純度要求也越來越高，石墨粉純度越高，使用價(jià)值越高，如何提高石墨粉的純度也隨之成為一個(gè)重要的課題。將DMAIC模型應(yīng)用于石墨粉純化工藝過程，通過統(tǒng)計(jì)過程控制SPC、因果關(guān)系分析的方法，提高石墨粉的純度

引起印制電路板ICD失效的關(guān)鍵要素(續(xù)完)————作者：畢文仲;徐偉明;曾福林;安維;

摘要：從印制電路板ICD問題定義和缺陷類型展開分析，設(shè)計(jì)試驗(yàn)方案，驗(yàn)證ICD問題關(guān)鍵要素和產(chǎn)生的機(jī)理，從設(shè)計(jì)、板材、鉆孔、去鉆污、孔金屬化5個(gè)方面分析驗(yàn)證，得出驗(yàn)證結(jié)果，提出改善預(yù)防措施，為PCB從業(yè)者提供借鑒

不可展開曲面電路圖形與電阻一體化成型方法————作者：蔣瑤珮;方杰;崔西會(huì);

摘要：基于激光微熔覆和三維直寫技術(shù)，提出了一種在不可展開曲面上實(shí)現(xiàn)電路圖形與電阻一體化成型的方法。通過激光粗化增強(qiáng)基材表面結(jié)合力，隨后采用噴墨直寫生成導(dǎo)電圖形和曲面電阻，并利用激光固化成型。試驗(yàn)結(jié)果顯示，該工藝制備的電阻在恒溫放置、溫度變化和熱穩(wěn)定性試驗(yàn)中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性，同時(shí)鍍層附著力滿足應(yīng)用要求。該技術(shù)提高了電阻和電路的集成可靠性，簡化了工藝流程，特別適用于復(fù)雜曲面結(jié)構(gòu)中的共形天線設(shè)計(jì)，具備廣闊的...

面向航天應(yīng)用的COTS器件錫須抑制方法————作者：朱永鑫;翁正;萬任新;劉紅民;

摘要：隨著航天型號(hào)任務(wù)對(duì)成本的控制，商業(yè)貨架產(chǎn)品(COTS)器件應(yīng)用越來越多。該類產(chǎn)品器件引腳鍍層多為純錫鍍層，易于生長錫須，引發(fā)可靠性問題，因此研究工程上實(shí)際可行的抑制方法很有必要。對(duì)比了熱真空試驗(yàn)條件下去應(yīng)力退火以及兩種涂覆材料對(duì)錫須生長的影響。結(jié)果表明，75 ℃焊后烘烤對(duì)錫須生長抑制作用有限。不同涂覆材料對(duì)錫須生長抑制效果不同，手工涂覆DBSF-6101三防漆可減緩錫須生長，200周次熱循環(huán)后錫須...

MLCC中二次排膠的鎳氧化模型與電性能————作者：黃翔;宋進(jìn)祥;成佩瑤;洪克成;毛石武;

摘要：BME-MLCC中Ni電極的氧化對(duì)于電容器的電性能和可靠性是一個(gè)重要的因素。通過熱力學(xué)數(shù)據(jù)，推導(dǎo)出Ni電極在高溫下的平衡氧分壓。根據(jù)二次排膠爐中氣氛選擇，結(jié)合加濕條件下的飽和水蒸氣蒸發(fā)模型，最終得到了氫含量、加濕溫度和爐溫與實(shí)際氧分壓的關(guān)系。通過比較該結(jié)果與平衡氧分壓，就可以判斷Ni電極是否會(huì)發(fā)生氧化。采用實(shí)際的二次排膠條件進(jìn)行驗(yàn)證得出的試驗(yàn)數(shù)據(jù)與該模型能很好吻合。因此二次排膠溫度越高，氫含量越低...

全自動(dòng)LCD面板切割生產(chǎn)線的掰斷機(jī)構(gòu)————作者：李大偉;

摘要：設(shè)計(jì)研發(fā)了一種模擬人工手動(dòng)掰裂面板動(dòng)作的掰斷機(jī)構(gòu)。在詳細(xì)分析面板掰斷原理和過程的基礎(chǔ)上，選取不同種類的典型面板進(jìn)行掰斷試驗(yàn)，在數(shù)字機(jī)顯微鏡下觀察面板斷面，效果良好無缺陷，達(dá)到了預(yù)期的目的。列舉了將該掰斷機(jī)構(gòu)應(yīng)用到自動(dòng)切割生產(chǎn)線所面臨的問題并提出了改進(jìn)方案，對(duì)后續(xù)全自動(dòng)切割生產(chǎn)線的研發(fā)具有積極的參考借鑒意義

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