微納電子技術
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《微納電子技術》
關注()- 期刊周期：月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內統一刊號：13-1314/TN
- 國際標準刊號：1671-4776
- 主辦單位：中國電子科技集團公司第十三研究所
- 主管單位：中華人民共和國信息產業部
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【雜志簡介】
《微電子技術》以促進我國納米電子技術不斷發展為辦刊目的。 創刊4年以來，匯集了納米電子、機械、材料、制造、測量以及物理、化學和生物等不同學科新生長出來的微小和微觀領域的科學技術群體，通過報道國內外納米電子技術方面的研究論文和綜述動態,為納米研究領域的技術人員提供納米技術領域新的突破方法和新的研究方向，為納米技術領域中從事原始創新和基礎探索的科研工作者、大學教師和學生提供了一個納米電子技術成果展示、轉化和技術交流的平臺。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄 獲獎情況
2002-2003和2003-2004年度，均獲信息產業部電子科技期刊編輯質量優秀獎
2005-2006年度獲信息產業部電子科技期刊學術技術水平優秀獎
中國學術期刊執行(光盤版)檢索與評價數據規范優秀期刊
2007-2008年度又榮獲工業和信息化部電子科技期刊學術技術水平優秀獎。
俄羅斯《AJ》收錄
英國《SA》,INSPEC數據庫收錄
美國《劍橋科學文摘》收錄
【欄目設置】
主要欄目：專家論談、納米器件與技術、納米材料與納料結構、MEMS器件與技術、顯微、測量、微細加工技術與設備、企業與人物追蹤、業界快訊等。
雜志優秀目錄參考：
1 Ⅲ-Ⅴ多結太陽電池隧道結模型的研究進展 陳帥;楊瑞霞;吳亞美; 545-553
2 PMMA柵絕緣層表面形貌對并五苯OTFT性能的影響 李雪飛;王偉;王帥;石曉東; 554-558+580
3 金納米棒復合結構中的雙重法諾共振效應 齊信;黃運歡;薛保平; 559-564
4 組合式MEMS三維矢量水聲傳感器 郭楠;張國軍;劉夢然;簡澤明;張文棟; 565-569+596
5 基于PNP模型微通道內冪律流體電滲流數值模擬 申力;李鳴;楊大勇; 570-575
6 基于流動聚焦結構的微液滴形成機理 楊麗;周圍;王學浩;程景萌;王媛媛;張思祥; 576-580
7 一種高溫壓阻式壓力傳感器的制備與倒裝焊接 李丹丹;梁庭;姚宗;李賽男;熊繼軍; 581-585
8 基于小波包絡提取法的白光干涉測量系統 簡黎;雷李華;李東升;孫曉光;蔡瀟雨;李源; 586-591+610
9 堿性銅精拋液中活性劑對平坦化效果的影響 賈少華;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇; 592-596
10 UV-LIGA技術制備頻率選擇表面的研究 林彬彬;陳迪;林樹靖;謝耀;袁濤;崔大祥; 597-602
11 阻擋層CMP中螯合劑FA/OII對拋光效果的影響(英文) 榮穎佳;王勝利;劉玉嶺;王辰偉;高嬌嬌;張文倩; 603-610
12 第11屆國際專用集成電路會議第一次征稿通知 611-612
通信技術雜志投稿：信息技術在體育教學中的應用
摘 要：隨著科學技術的迅猛發展，信息技術越來越廣泛地應用于各個領域，怎樣把信息技術與體育課程有效整合，達到課堂教學效果的最優化是每位體育教師所面臨的課題。本文結合自身的實踐，做了有益的嘗試。
關鍵詞：通信技術雜志,信息技術, 體育
在新課標下，如何做到將信息技術合理應用到體育教學中，激發學生興趣，開發教學資源，優化教學過程呢?筆者結合個人教學實際，談談自己的看法。
微納電子技術最新期刊目錄
基于太赫茲平面波導諧振結構的生物分子傳感————作者：張慧睿;武京治;王艷紅;
摘要：太赫茲平面波導由于其體積小、設計靈活且易于集成而被廣泛應用于生物傳感。然而,由于太赫茲波長比生物分子的尺寸大約6個數量級,檢測單個生物分子存在困難。提出了一種基于平面波導開環諧振器結構的太赫茲生物傳感器。研究結果表明,太赫茲傳感器在160～200 GHz頻率范圍內的最大傳感靈敏度為28.23 d B/RIU。通過在諧振結構中集成納米孔,可以檢測到單個生物分子,同時發現生物分子的存在導致了0.2 G...
界面停頓對生長量子級聯激光器InGaAs/InAAsl超晶格晶體質量的影響————作者：王祎瑋;房玉龍;張曦;商耀輝;趙輝;師巨亮;
摘要：量子級聯激光器界面質量對材料質量和器件性能的影響很大,通過分子束外延(MBE)設備生長了高微分增益結構的量子級聯激光器。研究了界面停頓對InGaAs/InAlAs超晶格質量的影響。改變超晶格層與層之間的中斷時間(10、15、25、35、40 s)后,發現界面停頓會使量子級聯激光器(QCL)超晶格生長質量變好,使用高分辨率X射線衍射儀(HRXRD)測量超晶格層的組成成分和生長速率;高分辨率透射電子顯...
CNC/PVDF復合薄膜的制備及其柔性壓電傳感器研究————作者：章麗娜;王玨;羅培;王席瑩;徐順建;
摘要：壓力傳感知器在智能互聯時代扮演重要角色,但面臨能耗和便攜性挑戰。柔性介電材料因其力-電轉換性能,成為開發高性能壓力傳感器的關鍵。其中纖維素納米晶（CNC）/聚偏氟乙烯（PVDF）壓電復合材料以其界面氫鍵強化和異相成核特性,有效誘導PVDF的β相形成,從而優化壓電性能。當添加CNC的質量分數為1%時,CNC/PVDF復合薄膜的靈敏度為0.97 V·N-1,所輸出的電壓和電流分別...
退火溫度對溶膠-凝膠法制備二氧化釩薄膜相變性能的影響————作者：汪啟旭;張化福;
摘要：以金屬釩的有機物(乙酰丙酮氧釩)作為前驅物,利用溶膠-凝膠法并經過475～550℃的后退火處理制備了具有顯著金屬-絕緣相變特性的納米二氧化釩薄膜。研究發現,通過改變后退火過程中的溫度可對二氧化釩薄膜結構和表面形貌(顆粒形狀、顆粒大小和晶界)進行調控,進而實現對二氧化釩薄膜的相變溫度、相變幅度以及回線寬度等金屬-絕緣相變特性的調控。當退火溫度為525℃時,實驗制備納米二氧化釩薄膜的金屬-絕緣相變回線...
微通道內彈狀氣泡形狀特性數值研究————作者：馬夢珠;吳祥成;盧金;蘇良彬;陳華宇;
摘要：微通道多相流技術在多個領域展現出廣闊的應用前景,而彈狀流因其高效的傳熱傳質特性成為研究的焦點。運用流體體積（VOF）法實現對矩形微通道內彈狀氣泡動態行為的精確數值模擬,旨在深入剖析氣液界面的復雜演變過程。針對實驗手段難以全面捕捉的小毛細數(Cab 衛星互聯網用Ka波段開關功率芯片————作者：曲韓賓;崔朝探;蘆雪;王宇行;杜鵬搏; 摘要：基于90 nm GaAs贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)工藝研制了一種高集成、高效率、小尺寸的Ka波段單通道多功能芯片。芯片內部集成單刀雙擲開關和功率放大器單元。開關單元采用1/4波長線并聯一指開關管結構，以降低插入損耗；功率放大器采用三級放大電路，末級匹配采用最小損耗結構，輸入及級間匹配采用低通電抗式匹配網絡，以提高電路效率和穩定性；最后進行開關和功率放大器的級聯設計，以實現芯片的小型化和高... 面向智能裝備的MEMS慣性集成微系統關鍵技術分析————作者：蔣鵬;鞠莉娜;王子;徐彤;李亞平;陳遠金; 摘要：裝備領域的變革對智能化提出了新的要求，模塊化、通用化成為當前的重要趨勢。基于微機電系統(MEMS)技術的慣性集成微系統因具備高密度多功能集成、高可靠等優點，可滿足高效費比和精準作用需求。從智能裝備對MEMS慣性集成微系統的需求出發，重點介紹了MEMS慣性集成微系統跨尺度設計、三維異構集成工藝、集成檢測與可靠性驗證等關鍵技術，并對技術發展趨勢進行了分析 基于調諧卡爾曼濾波的光柵MOEMS IMU姿態算法研究————作者：王兵權;孫文強;解琨陽;金麗;李孟委; 摘要：針對納米光柵微光機電系統(MOEMS)慣性測量單元(IMU)的高精度姿態解算需求，設計了一種基于調諧卡爾曼濾波(TKF)的姿態算法，解決了復雜動態環境下姿態估計精度不足和噪聲抑制效果不佳等問題。首先闡述了納米光柵MOEMS IMU的測量原理，建立了陀螺儀/加速度計的力-光-電檢測模型。其次介紹了調諧卡爾曼濾波的算法流程，建立了狀態空間方程、噪聲模型及誤差傳播模型。最后，通過靜態和動態條件下的姿態解... 基于金屬襯底的石墨烯溫度傳感器仿真————作者：田傳升;王俊強; 摘要：針對動力設備實時溫度測量的需求，研究了一種快響應、寬溫區的石墨烯溫度傳感器。傳感器芯片由金屬襯底、絕緣層、金屬電極層、石墨烯傳感層、保護層和金屬抗氧化涂層組成。以熱導率高的金屬為襯底，另外在傳統的陶瓷保護層的基礎上增加四元金屬抗氧化涂層，能夠有效阻擋高溫下氧氣的滲透。利用有限元軟件進行分析，當溫度由室溫升高到1 200℃時，采用硬質合金、氧化鋁、氮化硅為襯底的芯片響應時間分別為55、660、75 ... 基于細分插值技術的光柵干涉MOEMS加速度計————作者：楊鵬;金麗;解琨陽;李孟委; 摘要：為了解決光柵加速度計信號全量程線性化的問題，提出了一種基于細分插值技術的光柵干涉微光機電系統(MOEMS)加速度計。首先闡述了光柵干涉式加速度計的敏感機理，即通過兩束衍射光之間的光程差變化引起的干涉光強變化實現加速度檢測，然后利用仿真對所設計的加速度計結構進行優化設計。由于光柵干涉式加速度計輸出信號為單路正弦信號，因此采用細分插值電路技術，結合90°相移和高精度直流偏置電壓技術，將具有正弦特性的模... 基于金剛石NV色心的免微波磁平衡直流測量應用————作者：張少春;趙博文;劉雅琪;趙冀紅;童曉楓;周夢良; 摘要：隨著特高壓技術的發展，電力系統對電流互感器的安全性和可靠性提出了更高的要求。近年來，基于量子精密測量技術的金剛石氮-空位(NV)色心電流互感器憑借其高精度、高靈敏度的特點，得到了廣泛的研究與應用。提出了一種基于金剛石NV色心的磁平衡直流電流測量方案，利用平衡線圈產生的磁場平衡待測電流激發的磁場，并采用調制線圈跟蹤平衡點的變化，通過校準后實現電流測量功能。進行了500、1 000和5 000 A的精... 第十八屆中國微納電子技術交流與學術研討會暨2025年微納器件技術融合創新發展論壇會議通知 摘要：<正>微納電子技術涉及電子、機械、物理、化學、生物、醫學、材料、制造、測試等多學科領域,是一門多學科交叉滲透和綜合的高新技術,是未來技術更新換代和新興產業發展的重要基礎。為進一步推動我國微納電子技術的快速發展,為大家提供一個了解國內外微納電子技術最新發展動態的交流平臺,“第十八屆中國微納電子技術交流與學術研討會暨2025年微納器件技術融合創新發展論壇”定于2025年5月16—18日在合肥世紀金源大... PTFE非晶相結構三級透射中紅外光譜組學研究————作者：杜林楠;吉一帆;李宇涵;李瀧帆;尹昭;于宏偉; 摘要：聚四氟乙烯（PTFE）是一種重要的高分子聚合材料。開展了PTFE非晶相結構及其熱穩定性研究。分別研究了PTFE非晶相結構的三級中紅外（MIR）光譜組學，包括透射MIR光譜、變溫透射MIR光譜及二維透射MIR光譜。結果發現，在303 K溫度下，PTFE分子非晶相結構伸縮振動模式對應的紅外吸收峰為933.82、849.60、781.45、741.39、721.35和709.50 cm-1 人工智能大語言模型和AI芯片的新進展————作者：趙正平; 摘要：以ChatGPT為代表的大語言模型的發展標志人工智能(AI)進入“通用人工智能”發展的新時代。綜述了通用人工智能“大數據、小任務”專用人工智能發展階段的兩大熱點：人工智能大語言模型和AI芯片的最新進展和發展趨勢。在人工智能大語言模型領域，綜述并分析了其發展由來和發展現狀，包括專家系統和聊天機器人兩條技術路線的發展歷程，OpenAI的ChatGPT領跑大模型的發展現狀，以及對大模型的綜述、深化、改進... 基于樹葉表面微結構的PDMS-MXene/明膠摩擦層高輸出摩擦納米發電機的性能研究————作者：王中信;王澤坤;蔡明哲;程帥寧;郝聰聰; 摘要：摩擦納米發電機(TENG)的輸出性能與其摩擦層的電介質材料接觸起電的特性密切相關。采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)-MXene/明膠薄膜作為摩擦層，成功構建了一種新型的基于樹葉表面微結構的PDMS-MXene-明膠摩擦納米發電機(LMMG-TEMG)。PDMS-MXene層的大表面積與高導電性能相結合，以及明膠的生物相容性和易于成型的特點，使該裝置輸出性能得到顯著提升，輸出電流增長高達36.93%。... 精密薄膜電阻材料研究進展————作者：王攀龍;崔光宇;田廣科; 摘要：精密薄膜電阻材料是制作高精度薄膜電阻元件的關鍵材料，衡量其性能的關鍵技術指標是薄膜阻值精度和電阻率溫度系數(TCR)絕對值。從不同薄膜材料的TCR入手，重點綜述了近10年來國內外在精密薄膜電阻材料方面的研究進展，指出了目前存在的一些問題及未來可能的發展方向，文章對于發展精密薄膜電阻材料高新技術具有一定的借鑒作用 MEMS微型線圈及其在磁敏傳感器中的應用————作者：楊真;陳靖元;張朕澤;祝夢嬌;黃家寶;孫學成;雷沖; 摘要：微電子機械系統(MEMS)微型線圈是磁敏傳感器的重要元件，在磁傳感技術領域發揮著重要作用。MEMS微型線圈在磁傳感器中具有微小化、高集成度、高靈敏度、低功耗和低成本等優點，有助于提升磁傳感器的性能。綜述了MEMS微型線圈的優勢、結構類型、傳統制備工藝、新興制備技術以及在磁敏傳感器中的應用。重點介紹了MEMS微型線圈在巨磁阻抗效應傳感器和磁通門傳感器中的應用研究進展，并簡述了其在其他磁傳感領域的作用... 基于MEMS微型氣室的集成式紅外型二氧化碳氣體傳感器————作者：解濤;袁宇鵬;李小飛; 摘要：隨著氣體探測技術的不斷進步，對氣體傳感器提出了高精度、小型化、高可靠性、易批量生產等要求。研制了基于微機電系統(MEMS)微型氣室的集成式紅外型二氧化碳氣體傳感器，利用MEMS加工技術實現了微型氣室、紅外光源、探測器等關鍵部件的制備。該傳感器的性能測試結果表明其具有高分辨率、良好的重復性與一致性，對體積分數低于10%的二氧化碳氣體具有優良響應。此外，基于MEMS微型氣室的集成式紅外型二氧化碳氣體傳... 玻璃通孔成型工藝及應用的研究進展————作者：劉丹;烏李瑛;田苗;張文昊;程秀蘭; 摘要：隨著摩爾定律逐漸逼近其物理極限,傳統封裝技術已經不能滿足智能化時代發展對芯片的輕量化和高集成化的需求。三維堆疊封裝通過多層堆疊和立體互連實現了芯片和器件的高性能集成。其中通孔結構在三維集成封裝中發揮著極為關鍵的作用。由于玻璃材料具有優異的電學性能、機械和化學穩定性,玻璃通孔(TGV)技術被認為是下一代三維集成的關鍵技術。系統性地回顧了TGV成型工藝的研究進展,對比了不同TGV成型工藝的優缺點,總結... 基于QST襯底的厚GaN外延材料生長研究————作者：韓穎;高爽;房玉龍;王波;高楠;張志榮; 摘要：在QST復合襯底上生長出厚度超過12μm的GaN外延層。測試結果表明外延片表面平整、無裂紋;原子力顯微鏡(AFM)分析表明樣品表面為良好的臺階流形貌,樣品表面中心的均方根表面粗糙度為0.224nm;外延片的彎曲度僅為6.086μm,這對于維持器件應用中的結構完整性至關重要;GaN的(002)和(102)晶面半高全寬(FWHM)分別為131和272arcsec,表明材料具有較高程度的結晶取向和晶格有... 相關電子信息期刊推薦 核心期刊推薦
