【雜志簡介】

　　《半導體技術》以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺，達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢;專題報道：每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用：半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料：介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發：各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向;封裝、測試與設備：介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術：現代管理：半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品，等管理技術;綜合新聞：及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息�！栋雽�體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　中文核心期刊

　　中國科技論文統計用刊

　　國外數據庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫

　　【欄目設置】

　　欄目主要設有： 1中國半導體發展趨勢論壇(綜述)：誠邀《半導體技術》的專家顧問發表精辟觀點和看法;政府主管部門領導提出政策投資建議。 芯片生產工藝技術：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術等。 IC封裝及測試：國外先進封裝技術如微間距打線技術;BGA; 疊合式/三維封裝;Quad 封裝等。以及IC測試、系統級測試等。新材料新設備：對半導體支撐材料如納米材料、環氧膜塑料、硅材料、低介電常數材料、化合物等及8-12英寸制造設備、后工序設備、試驗設備等加以闡述。全國集成電路產業介紹：圖文并茂的介紹中國集成電路產業發展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業：(采訪追明星蹤)針對國內外半導體行業的主流企業進行針對性訪問和系統介紹。為供需雙方提供具有參考價值的范本。新品之窗：對半導體設計與材料設備的新產品予以相關介紹和推薦設計與應用 ：嵌入式系統、PLD/FPGA設計;通信、網絡技術、DSP和多媒體應用;電源器件、數字/模擬IC、消費類/工業類電子器件等應用技術業界動態：綜合報道世界半導體行業最新動態會議報道：專門報道行業相關會議，傳達精神，指導工作。

　　雜志優秀目錄參考：

　　1 西門子解決方案合作伙伴計劃 637

　　2 硅基自旋注入研究進展 盧啟海;黃蓉;鄭礴;李俊;韓根亮;閆鵬勛;李成; 641-646+683

　　3 12 bit 200 MS/s時間交織流水線A/D轉換器的設計 楊陽;張科峰;任志雄;劉覽琦; 647-652+662

　　4 低頻低功耗無源RFID模擬前端設計與分析 林長龍;孫欣茁;郭振義;李國峰;梁科;王錦; 653-657

　　5 一種高頻E類功率放大器設計方法 劉超;陳鐘榮; 658-662

　　6 GaAs場效應晶體管不同極性ESD損傷機理 林麗艷;李用兵; 663-666

　　7 pH值對低磨料堿性銅拋光液穩定性的影響 秦然;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇;武鵬;王娟; 667-670+710

　　8 高濃度臭氧超凈水制備及在硅片清洗中的應用 白敏菂; 671-674+691

　　9 Ar/CO/NH_3等離子體刻蝕多種磁性金屬疊層 劉上賢;汪明剛;夏洋; 675-678+717

　　10 WS_2量子點邊緣結構和形貌的第一性原理計算 沈濤;梁培;陳欣平;歷強; 679-683

　　11 TSV封裝通孔形態參數對焊點熱疲勞壽命的影響 張翼;薛齊文;劉旭東; 684-691

　　12 FeNi合金UBM圓片級封裝焊點剪切力研究 奚嘉;陳妙;肖斐;龍欣江;張黎;賴志明; 692-698

　　13 點燃產業創新之火,IC China推動FPGA產業發展 698

　　14 基于可控電流源的太陽電池模型參數測試方法 張淵博;韓培德;卓國文; 699-705

　　15 用于監測硅片應力的紅外光彈儀 蘭天寶;潘曉旭;蘇飛; 706-710

　　16 HTCC工藝通用自動上下料系統設計與實現 張超;鄭宏宇;李陽; 711-717

　　17 第一次征稿通知 第11屆國際專用集成電路會議 718-719

　　18 2015’全國新型半導體功率器件及應用技術研討會會議通知 720

　　中國廣播電視學刊投稿：控制理論和控制工程的發展與應用分析

　　摘 要 隨著科學技術的不斷完善和發展，控制工程與控制理論也得到了不斷的完善，控制理論和控制工程被廣泛應用于各大企業系統生產中。在本篇文章里，筆者在控制工程與控制理論的基礎知識理論上，對控制工程與控制理論的相關歷史發展階段進行研究，并且分析了控制理論和控制工程的應用，以期望能夠為控制系統的發展以及相關研究提供有用的參考依據。

　　關鍵詞 控制理論和控制工程,發展,應用

　　控制理論雖然起源于英國18世紀的技術革命時期，但是卻在二十一世紀被廣泛應用。隨著社會經濟的不斷發展，控制理論和控制工程被廣泛的應用于相關工程企業當中。在本篇文章里，筆者不僅分析了控制理論和控制工程的發展，還探索了控制理論和控制工程的應用前景。

　　半導體技術最新期刊目錄

柔性銅鋅錫硫硒薄膜太陽能電池研究進展————作者：花浩;孫孿鴻;趙宇;龐楚瀧;

摘要：銅鋅錫硫硒(Cu₂ZnSn（S，Se）₄，CZTSSe)具有組成元素豐富、環境友好和理論光電轉換效率高等優點，是一種具有大規模應用潛力的新型光伏材料。相比剛性襯底，柔性CZTSSe薄膜太陽能電池具有質輕和可彎折的獨特優勢，在光伏建筑一體化、柔性可穿戴設備等領域有廣闊的應用前景。從柔性襯底、殘余應力、制備方法、摻雜、界面工程等方面對柔性CZTSSe薄膜太陽...

SiC MOS電容氧化層界面缺陷鈍化效果分析方法————作者：胡燦博;劉俊哲;劉起蕊;尹志鵬;崔鵬飛;王德君;

摘要：SiC MOS器件的柵氧界面缺陷嚴重影響其性能。采用X射線光電子能譜（XPS）和二次離子質譜（SIMS）技術，識別了SiC MOS電容中的SiO_xC_y和C—C缺陷及其元素分布，并結合文獻數據確定了這些缺陷的能級位置，同時計算了其相應的時間常數。研究表明，這些缺陷的形成與氧元素缺乏密切相關，氧原子或離子因具有較強的穿透性，可有效消除這些缺陷。為優化樣品性能...

一種基于兩步式SAR ADC架構的智能溫度傳感器————作者：曹亦棟;陳雷;初飛;李建成;張健;李全利;

摘要：針對高速接口芯片的局部結溫監測問題，設計了一種基于兩步式逐次逼近型模數轉換器（SAR ADC）的片上智能溫度傳感器，該傳感器可配合上位機實現對全芯片溫度的實時監測，并輸出數字溫度碼。電路對橫向pnp三極管的基極-發射極電壓進行采樣，通過溫度監測模塊進行量化比較。電路采用了兩步式SAR ADC進行10 bit數字溫度碼的轉換輸出，兩步式SAR ADC通過調節電阻陣列實現粗量化，調節比較器輸入管陣列進...

可調諧MEMS-VCSEL微橋梁制備及其應力的影響————作者：朱魯江;孫玉潤;張琪;于淑珍;董建榮;

摘要：針對微電子機械系統（MEMS）的垂直腔面發射激光器（VCSEL）中靜電驅動微橋梁結構制備工藝開展研究，旨在制備平直的懸空微橋梁結構，并通過工藝優化提高其可靠性。利用干法刻蝕和濕法腐蝕相結合的方法刻蝕Ge犧牲層，這種方法既能夠防止濕法腐蝕橫向刻蝕過多，還可以提高Ge和底部電極Ti的刻蝕比。通過XeF₂氣體干法刻蝕去除剩余的Ge以釋放微橋梁結構，避免濕法腐蝕釋放造成的微橋梁結構與...

金-鋁鍵合界面空洞生長動力學研究————作者：陳柏雨;王波;可帥;黃偉;劉崗崗;潘開林;

摘要：為探究金-鋁鍵合界面處空洞的演化與焊盤厚度的關系，通過實驗、仿真模擬和理論分析相結合的方法對金絲和鋁焊盤鍵合點空洞的生長進行了研究。實驗結果表明，2～3 μm厚Al/0.5%Cu鋁焊盤上采用99.99%金絲鍵合的樣品在300 ℃下貯存24 h后，鍵合界面處產生的空洞數量與鋁焊盤厚度呈正相關關系，該結果與基于編程軟件的元胞自動機仿真預測結果高度一致。空洞的形成規律符合引入濃度梯度后的金屬擴散理論，即...

175 ℃反激式高溫直流開關電源設計————作者：劉建國;楊依忠;丁瀚;

摘要：為滿足極限環境下電源系統小型化、耐高溫、高可靠性的要求，設計了一種基于單端反激拓撲的隔離型直流穩壓電源。針對傳統印刷電路板（PCB）高溫電源體積大、散熱差的局限性，采用厚膜工藝，優選高液相點焊接材料，優化殼體結構設計，以達到充分散熱效果。選用TI公司的UC1843高溫型脈寬調制器作為主控芯片，控制輸出高頻脈沖驅動功率開關管，通過變壓器功率變換把能量傳遞到次級。測試結果表明，該電源模塊的轉換效率在滿...

基于查找表均衡的高速SerDes發送端設計————作者：陶保明;張春茗;任一凡;戢小亮;

摘要：為使高速串行器/解串器（SerDes）發送端具有更大的均衡靈活性，采用UMC 28 nm CMOS工藝設計了一種基于數字信號處理（DSP）-數模轉換器（DAC）結構的高速SerDes發送端。通過將發送端中前饋均衡功能以查找表（LUT）形式集成至DSP中，靈活應對了信道高頻損耗嚴重和信號完整性問題，并簡化了全定制電路設計的復雜度；其主體結構包括DSP、溫度編碼器、重定時器、32:4多路復用器（MUX...

橫向結構壓接IGBT動態測試平臺設計及其寄生電感抑制————作者：袁文遷;季一潤;楊敏祥;槐青;袁茜;郝震;劉鐵城;

摘要：傳統的縱向結構壓接IGBT（PPI）測試平臺的疊層母排區域互感較強，但PPI與回流銅排的互感較弱，同時無法對被測和陪測器件分別施加不同的機械壓力和溫度。針對這一問題，研制了一種新型橫向結構測試平臺，通過改變IGBT周邊區域電流分布，增強互感，使該區域寄生電感值降低了36.9%，有效降低了回路總寄生電感值。且通過將被測IGBT和陪測器件并排布置，可以實現對被測IGBT和陪測續流二極管（FWD）施加不...

IGBT相變冷板的設計和數值模擬————作者：潘子升;周俊屹;余時帆;胡桂林;

摘要：針對絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊散熱中功率密度高且散熱負荷隨工況變化的問題，基于制冷劑對流散熱和蒸發潛熱的微通道沸騰相變散熱技術可對IGBT芯片進行有效散熱，建立了三維、偽瞬態算法穩態和體積分數法（VOF）相變的綜合數學模型。研究了R1233zd、R1234ze、R134a三種相變制冷劑在單塊IGBT微通道沸騰相變散熱器中的散熱性能；在單塊的基礎上進行了多片IGBT串聯、并聯、串并聯三種不同流...

全溶液法制備PAA/SU-8雙層電介質OFET及其性能————作者：江紫玲;朱睿;張婕;

摘要：有機場效應晶體管（OFET）因其低成本和優異的可兼容特性，是柔性電子領域的重要器件。通過構建聚丙烯酸（PAA）/SU-8雙層介電結構，結合全溶液法制備了基于6，13-雙(三異丙基硅烷基乙炔基)（TIPS）-并五苯半導體層的OFET。通過原子力顯微鏡（AFM）和接觸角測量儀分析表面特性，PAA/SU-8雙層薄膜均方根（RMS）粗糙度（0.284 nm）較純PAA薄膜（2.77 nm）顯著降低，表面接...

TAZ與LS-97對銅CMP協同緩蝕效應————作者：賀斌;高寶紅;霍金向;李雯浩宇;賀越;王建樹;

摘要：極大規模集成電路（GLSI）中多層銅布線的化學機械拋光（CMP）是推動微電子技術發展的關鍵工藝之一。抑制劑是實現銅晶圓表面平坦化的重要因素，而表面活性劑可以改善銅晶圓的表面質量，因此抑制劑和表面活性劑的復配使用是研究的熱點。通過拋光實驗、電化學實驗、接觸角實驗和表面表征測試，深入分析了LS-97和TAZ復配使用對銅表面的影響。研究結果表明，500 mg/L LS-97和2 mmol/L TAZ復配...

具有雙層空穴傳輸層的高亮度QLED————作者：方文惠;阮鈺菁;廖靖妍;羅東向;鄭華;劉佰全;

摘要：量子點發光二極管（QLED）憑借其高效率、高穩定性以及優異的色純度，在顯示與照明領域備受關注，但QLED在電荷注入平衡方面仍面臨挑戰。探討了不同單層空穴傳輸層（HTL）及雙層HTL結構對QLED性能的影響，并揭示其發光機理。通過結合4，4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）的電子阻擋能力與4，4'-環己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]（TAPC）的高空穴傳輸能力設計出雙層HTL，...

基于瞬態漏源電流變化的SiC MOSFET陷阱表征————作者：高博文;杜穎晨;張亞民;

摘要：SiC MOSFET柵極氧化物附近存在的陷阱缺陷造成其在高溫高壓場景下出現許多可靠性問題。提出了完整的基于瞬態電流法的陷阱表征方案，結合貝葉斯迭代反卷積算法實現對陷阱位置、時間常數和激活能的表征�；�于自建陷阱測試平臺在柵極和漏極施加不同組合的電學偏置，表征了微秒量級的兩個陷阱，其時間常數分別為2×10^-5s和2.5×10^-4s，同時觀察到SiC MOSF...

基于諧波調諧的C波段高效率GaN HEMT功率放大器————作者：李俊敏;劉英坤;李通;蔡道民;

摘要：為解決傳統功率放大器在管殼外部進行諧波匹配，導致諧波短路傳輸相位不一致和諧波、基波匹配電路互相影響的問題，基于0.25μm GaN HEMT工藝，對C波段高效率預匹配功率放大器進行研究。功率放大器管殼內部HEMT輸入端采用鍵合線和瓷片電容形成T型匹配網絡來提升輸入阻抗，以HEMT輸出端鍵合線和瓷片電容分別作為電感和電容進行串聯，使HEMT輸出端對二次諧波短路，控制器件的電壓和電流波形，提高放大器的...

一款具有過溫指示功能的高速功率運算放大器————作者：馮仕豪;余德水;馬奎;楊發順;

摘要：基于80 V雙極型集成電路工藝，設計了一種具有過溫指示功能的高速功率運算放大器。該設計采用源極驅動-共基放大的輸入級電路結構，選用p溝道結型場效應晶體管(JFET)作為輸入管，實現了低輸入偏置電流和高轉換速率。為防止輸出功率晶體管因過熱而損壞，設計了過溫指示及熱關斷模塊，在139～164℃的溫度區間內具有遲滯型熱關斷與過溫指示功能。芯片測試結果顯示，該電路的輸入偏置電流為16.804 pA,輸入失...

動載荷下高黏膠液的拉伸衍變過程分析————作者：薛雨詩;張超鋒;陳國慶;葉鵬;尹加政;

摘要：點膠工藝是影響點膠質量的重要因素。由于高黏度非牛頓流體膠對剪切速率的依賴性，點膠時采用的速度會影響膠液的流動變形。通過實驗與仿真相結合的方法研究了膠液轉移時基板與針頭間液橋的動態行為。首先，探究了出膠流速對膠底初始狀態的影響；其次，分析了針尖與膠液分離時產生的液橋形變；最后，探討了不同出膠流速與拉伸速度對液橋斷裂的綜合影響。結果表明，低流速出膠會使膠液鋪展直徑更小，且出膠流速與拉伸速度對膠液分離斷...

一種低噪聲和快速響應的低壓差線性穩壓器————作者：李飛宇;陳君濤;周爵;朱安康;

摘要：設計了一款基于超低通濾波器技術的低輸出噪聲的低壓差線性穩壓器（LDO）。根據典型LDO輸出噪聲的主要貢獻點，采用含受控運放的超低通濾波器來降低基準信號的噪聲，并解決低通濾波器截止頻率與響應速度的矛盾�；�于0.25μm CMOS工藝完成了LDO的設計和流片，其核心芯片的面積為700μm×750μm。測試結果表明，在輸入電壓為5 V、輸出電壓為3.3 V、負載電流為200 mA時，LDO的啟動時間約為...

基于NiO/GaN核殼納米柱陣列異質結的高性能自供電紫外光電探測器————作者：唐鑫;柳志成;江弘勝;李國強;

摘要：針對紫外光電探測器在自供電模式下光探測性能差的難題，提出了一種基于NiO/GaN核殼結構的納米柱陣列異質結的自供電紫外光電探測器。采用分子束外延（MBE）法制備了分立、均勻的GaN納米柱陣列，在此基礎上通過簡單的高溫熱氧化法合成了均勻的NiO薄層，形成了異質結核殼結構。得益于GaN納米柱陣列異質結的結構優勢，如高吸光特性和高載流子遷移率，制備的紫外光電探測器在沒有任何電源的情況下，在365 nm波...

時序優化的瞬態熱反射成像測溫技術————作者：夏力;商婭娜;陳娜;劉書朋;劉勇;龐拂飛;王廷云;

摘要：為消除光源波動對熱反射測量的干擾，提出一種時序優化的瞬態熱反射測溫方法。該方法在觸發光源信號與激勵信號之間，交替實現兩者的同步與延遲，從而實現瞬態熱反射成像。為驗證該方法，使用尺寸小、熱導率高的硅芯石英包層光纖作為樣品，得到硅芯在一個溫度變化周期內的反射率變化與平均反射率的比值(△R/R₀)為-5.98×10^-4，而相同測量時間內光源波動導致的該比值為-...

高閾值電壓的半環繞式MIS柵極p-GaN HEMT————作者：何曉寧;賈茂;李明志;侯斌;楊凌;馬曉華;

摘要：p-GaN HEMT以閾值電壓穩定、導通損耗低、開關頻率高和工藝成熟等優勢，成為新一代主流功率開關器件。針對其柵控能力與開態損耗優化需求，提出了一種采用半環繞式金屬-絕緣體-半導體（MIS）柵結構的p-GaN HEMT。通過采用SiN介質層及柵極金屬環繞p-GaN層，該器件實現了6.9 V的高閾值電壓，且柵極操作范圍提升至14 V。器件的輸出電流由17.1 mA/mm提升至30.5 mA/mm，導...

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