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《功能材料與器件學(xué)報(bào)》
關(guān)注()【雜志簡介】
《功能材料與器件學(xué)報(bào)》于1995年創(chuàng)刊,是由中國材料研究學(xué)會(huì)和中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所共同主辦的全國性學(xué)術(shù)期刊。、讀者對象為功能材料與器件領(lǐng)域的科研工作者、工程技術(shù)人員和高等學(xué)校師生。
本刊主要刊登反映功能材料與器件領(lǐng)域中具有創(chuàng)新性的科研成果和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展的論文、簡報(bào)、綜述和消息。來稿可以涉及功能材料的制備、加工、性能和應(yīng)用,以及功能器件的原理、工藝和性能等等,具體可以包括下列領(lǐng)域:微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、微電子和光電子材料與器件、薄膜材料與器件、納米材料與器件、智能材料與器件、傳感器和傳感器材料、金剛石薄膜及應(yīng)用、磁性和磁光電材料、鐵電材料、生物材料、高溫超導(dǎo)材料等。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄 獲獎(jiǎng)情況
美國Ei,美國CA,英國SA,俄羅斯PЖ的文獻(xiàn)源期刊
中國科技論文統(tǒng)計(jì)源期刊、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊
中國學(xué)術(shù)期刊綜合評價(jià)數(shù)據(jù)庫來源期刊
國外數(shù)據(jù)庫收錄
俄羅斯文摘雜志
美國化學(xué)文摘
英國物理學(xué)、電技術(shù)、計(jì)算機(jī)及控制信息社數(shù)據(jù)庫
【欄目設(shè)置】
主要版塊欄目:綜述、論文、簡報(bào)、進(jìn)展、消息。
雜志優(yōu)秀目錄參考:
1 工業(yè)級和宇航級FPGA器件抗力學(xué)性能分析 呂強(qiáng);尤明懿;管宇輝; 173-178
2 一維納米陣列制備及其在電化學(xué)生物傳感器中的應(yīng)用 崔接武;王巖;張勇;舒霞;吳玉程; 179-193
3 LCOS投影顯示技術(shù) 李任鵬;顏莉華; 194-198
4 用于氣相冰毒檢測的區(qū)域規(guī)整的高通透聚合物 王月蓉;高宜迅;陳蕾;賀慶國;程建功; 199-204
5 熱處理中Si/SiGe/Si界面互擴(kuò)散 文嬌;劉暢;俞文杰;張波;薛忠營;狄增峰;閔嘉華; 205-208
6 基于改進(jìn)的粒子群算法的MEMS移相器設(shè)計(jì) 梁軍;劉建霞; 209-214
7 管狀介電彈性體驅(qū)動(dòng)器電致應(yīng)變特性分析 楊宏亮;樊亞玲; 215-218
8 基于LTCC技術(shù)的高性能級聯(lián)帶通濾波器的研究 戴永勝;楊茂雅; 219-223
9 基于混合信息增量矩陣的傳感器網(wǎng)絡(luò)故障自檢測算法 梁希文;馬斌; 224-228
10 SA-g-P(AA-co-AM)/KL復(fù)合高吸水性樹脂的制備及吸液性能研究 寇小燕;唐堯基;豆慶賀; 229-234
11 錳鋅鐵氧體的制備研究進(jìn)展 雷偉;劉永生;徐娟;杜文龍;司曉東;郭保智;高湉;彭麟; 235-241
12 自組裝膜-石墨烯界面修飾及其在電子傳遞領(lǐng)域中的研究與應(yīng)用 左國防;李志鋒;楊建東;王宇晶; 242-247
13 Dy0.15Fe1.85O3磁顆粒的有機(jī)改性對其硅油基磁流體磁性能及穩(wěn)定性的影響 殷金昌;楊沖;陳靜;張茂潤; 248-253
14 6-乙烯基-1,1-雙二茂鐵基丁烷的聚合反應(yīng)及其聚合產(chǎn)物的研究 王曉莉;鄧起發(fā);付淵; 254-257
期刊投稿范文:基于異步復(fù)制的容災(zāi)系統(tǒng)研究
[摘 要]介紹了數(shù)據(jù)備份策略與容災(zāi)技術(shù),闡述容災(zāi)系統(tǒng)的指標(biāo)以及容災(zāi)等級。并通過基于異步復(fù)制機(jī)制實(shí)施了本地信息化系統(tǒng)的遠(yuǎn)程容災(zāi)中心,實(shí)現(xiàn)了信息系統(tǒng)的高可用性。測試結(jié)果驗(yàn)證該方案具有可靠地的備份性能和數(shù)據(jù)有效性。
[關(guān)鍵詞]期刊投稿范文,備份,異地備份,容災(zāi)能力
引言
隨著運(yùn)營商企業(yè)信息化進(jìn)程的不斷深化,管理信息系統(tǒng)已經(jīng)成為支撐企業(yè)業(yè)務(wù)運(yùn)行的重要平臺,同時(shí)業(yè)務(wù)的發(fā)展也對管理信息系統(tǒng)的業(yè)務(wù)支撐能力和可靠運(yùn)行的要求越來越高。陜西移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的集中建設(shè)在實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)快速響應(yīng)和控制運(yùn)營成本的同時(shí),也帶來故障點(diǎn)集中的風(fēng)險(xiǎn)問題,如自然災(zāi)害、電網(wǎng)停電等不可控風(fēng)險(xiǎn)。因此,適時(shí)、合理的規(guī)劃和開展異地容災(zāi)建設(shè),成為確保信息化系統(tǒng)高可用的重要手段。
功能材料與器件學(xué)報(bào)最新期刊目錄
高速超導(dǎo)納米線單光子探測器研究進(jìn)展————作者:陳敬學(xué);李浩;
摘要:超導(dǎo)納米線單光子探測器(SNSPD)是一種新型單光子探測器,相較于傳統(tǒng)的單光子探測器,其具有高探測效率、低暗計(jì)數(shù)、高計(jì)數(shù)率、低時(shí)間抖動(dòng)等優(yōu)勢,近年來在量子信息、激光雷達(dá)等領(lǐng)域大放異彩。隨著技術(shù)的發(fā)展,量子通信、深空通信等應(yīng)用對SNSPD的響應(yīng)速度(即計(jì)數(shù)率)提出了更高的要求。本文首先介紹超導(dǎo)納米線單光子探測器的基本原理,隨后著重描述近年來高速SNSPD的研究進(jìn)展,包括限制探測器計(jì)數(shù)率的因素及提升S...
原子吸收光譜在線束流監(jiān)控技術(shù)在分子束外延中的應(yīng)用及研究進(jìn)展————作者:張慶凌云;陳意橋;
摘要:本文在簡要回顧原子吸收光譜技術(shù)發(fā)展歷史的基礎(chǔ)上,總結(jié)概括了應(yīng)用于分子束外延中束流原位實(shí)時(shí)監(jiān)控的原子吸收光譜系統(tǒng)結(jié)構(gòu),并對搭建該系統(tǒng)所需關(guān)鍵部件的選型和參數(shù)進(jìn)行了綜述。同時(shí),本文還歸納了原子吸收光譜的背景參比方法、誤差來源以及漂移校正的方法,分析了原子吸收光譜技術(shù)在分子束外延系統(tǒng)中實(shí)時(shí)在線和多元素監(jiān)測的優(yōu)勢,并回顧了其應(yīng)用發(fā)展過程。在此基礎(chǔ)上,本文提出了一個(gè)分子束外延中原子吸收光譜技術(shù)的改良方案,并...
尖晶石型高熵氧化物的研究進(jìn)展————作者:王悅;鄭叢;劉世民;
摘要:作為近幾年發(fā)展起來的新型氧化物體系,尖晶石型高熵氧化物具有兩個(gè)不同的Wyckoff位點(diǎn),允許三價(jià)和二價(jià)陽離子同時(shí)存在,這一特點(diǎn)提升了材料在離子價(jià)態(tài)的可變范圍,拓展了其性能的可調(diào)性。由于其具有組分可調(diào)性、穩(wěn)定的單相結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的熱學(xué)、磁學(xué)、電學(xué)等性能,這類化合物受到國內(nèi)外研究人員的關(guān)注,已被廣泛用于電池、催化、儲(chǔ)能等各領(lǐng)域。本文綜述了尖晶石型高熵氧化物領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展,旨在分析并總結(jié)該領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)...
SiO2提升ITO/HfO2/SiO2/Ag憶阻器的開關(guān)比和穩(wěn)定性————作者:徐辛;張宏;楊峰;張勇;
摘要:導(dǎo)電細(xì)絲生長及其熔斷的隨機(jī)性一直是影響憶阻器開關(guān)比和穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。本研究通過磁控濺射在ITO基底上制備了以HfO2/SiO2異質(zhì)結(jié)為功能層的ITO/HfO2/SiO2/Ag憶阻器。與單層HfO2憶阻器相比,開關(guān)比約提升10倍,最大開關(guān)比達(dá)到了50;并且穩(wěn)定性也有了較大提升,在6 000...
大尺寸2M-WS2柔性超導(dǎo)材料制備與物性研究————作者:方裕強(qiáng);涂雪洋;劉以鑫;彭煒;牟剛;黃富強(qiáng);
摘要:柔性超導(dǎo)材料是超導(dǎo)量子電路和低溫探測器件等應(yīng)用場景中不可或缺的關(guān)鍵材料。本研究中,我們采用超聲輔助液相剝離法制備了基于過渡金屬二硫化物2M-WS2的柔性超導(dǎo)材料,并對其超導(dǎo)電性以及彎曲后的超導(dǎo)表現(xiàn)進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,我們發(fā)展的制備方法可以制備長達(dá)30 cm以上的柔性超導(dǎo)窄線,其超導(dǎo)零電阻溫度約為5.1 K,并且在彎曲情況下其超導(dǎo)性能基本不變。值得指出的是,這種制備方法具有工...
柔性云母基底上高性能Hf0.5Zr0.5O2鐵電薄膜制備與性能研究————作者:沈家寧;
摘要:鉿基鐵電薄膜與傳統(tǒng)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)加工工藝兼容,且在超薄膜厚(低至1 nm)下仍具有良好的鐵電性,用其制作的柔性鐵電存儲(chǔ)器將為柔性電子系統(tǒng)注入新的活力。然而,剩余極化強(qiáng)度不高且器件可靠性不佳是鉿鋯氧(HZO)基柔性鐵電存儲(chǔ)器普遍面臨的問題。本研究在云母襯底上沉積了氧化鋁緩沖層,制備了W/TiN/HZO/TiN/Al2O3/Mica結(jié)構(gòu)的...
復(fù)合終端下n-Ga2O3異質(zhì)肖特基二極管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及優(yōu)化————作者:馬豪威;朱敏敏;
摘要:氧化鎵(Ga2O3)作為一種新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高達(dá)4.8 eV的禁帶寬度和8 MV/cm的臨界擊穿場強(qiáng),這一特點(diǎn)很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化鎵的p型摻雜技術(shù)的缺失,氧化鎵同質(zhì)結(jié)器件的實(shí)現(xiàn)較為困難。基于此,本文提出采用p-NiO/n-Ga2O3異質(zhì)結(jié)所構(gòu)成的結(jié)勢壘肖特基二極管(Junc...
基于二維鐵電鈣鈦礦的人工光突觸晶體管制備與性能研究————作者:章鵬;陳耿旭;
摘要:神經(jīng)形態(tài)計(jì)算通過模擬生物神經(jīng)系統(tǒng)的突觸可塑性,為構(gòu)建低功耗、高容錯(cuò)的智能感知系統(tǒng)提供了新思路。本文提出了一種基于二維鐵電鈣鈦礦材料(PMA)2PbCl4的光突觸晶體管。該材料兼具鐵電極化特性和寬光譜光響應(yīng)能力。通過將其與高遷移率的有機(jī)半導(dǎo)體PDVT-10結(jié)合,設(shè)計(jì)了一種新型人工光突觸器件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該器件在光脈沖下能夠成功模擬興奮性突觸后電流(EPS...
《功能材料與器件學(xué)報(bào)》“先進(jìn)微納加工及應(yīng)用”專題征文通知
摘要:<正>隨著科技的迅猛發(fā)展,微納加工技術(shù)作為支撐現(xiàn)代科學(xué)與工程的重要手段,正在各個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的潛力與應(yīng)用價(jià)值。從半導(dǎo)體制造到柔性電子,從生物醫(yī)學(xué)傳感器到能源轉(zhuǎn)換裝置,微納加工技術(shù)不僅推動(dòng)了材料和器件的小型化、集成化,更為新型功能材料和多學(xué)科交叉研究提供了強(qiáng)有力的工具。為此,《功能材料與器件學(xué)報(bào)》編輯部特邀上海交通大學(xué)楊卓青教授、臧法珩教授和中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所徐久帥研究員策劃了“...
低功耗人工智能計(jì)算系統(tǒng)研究進(jìn)展綜述————作者:陳華;曲益明;吳文豪;趙毅;
摘要:最近,隨著大數(shù)據(jù)和硬件能力的快速增長,人工智能取得了顯著發(fā)展,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(Artificial Neural Network,ANN)已被成功應(yīng)用于解決學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的許多問題。然而,在邊緣設(shè)備上部署人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)仍具有挑戰(zhàn)性。這些場景一般對功率、體積有嚴(yán)格的限制,同時(shí)對系統(tǒng)延遲和實(shí)時(shí)性有較高要求,因此構(gòu)建低功耗人工智能計(jì)算系統(tǒng)需要在性能、功率、體積之間進(jìn)行權(quán)衡。本文綜述了目前低功耗人工智能計(jì)算系...
基于人工智能和微流控液滴芯片的數(shù)字PCR芯片識別系統(tǒng)的研究————作者:譚天曄;林博;
摘要:本研究針對新型冠狀病毒(SARS-CoV-2)檢測所面臨的挑戰(zhàn),開發(fā)了一種基于微流控芯片和人工智能算法的數(shù)字聚合酶鏈?zhǔn)椒磻?yīng)(PCR)液滴識別系統(tǒng)。在該系統(tǒng)中,利用半導(dǎo)體加工技術(shù)構(gòu)建的微流控結(jié)構(gòu)能夠精確控制微滴生成,從而確保了液滴的均一性和穩(wěn)定性。結(jié)合高斯模糊技術(shù)和閾值分割算法,通過預(yù)訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型對液滴進(jìn)行智能識別和計(jì)數(shù),顯著提高了檢測靈敏度和準(zhǔn)確性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,液滴識別準(zhǔn)確率達(dá)99.41%...
面向神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)的突觸器件及芯片綜述與展望————作者:朱賽克;趙毅;
摘要:隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)在處理大數(shù)據(jù)和人工智能應(yīng)用中的局限性愈加明顯,存算一體(CIM)和類腦計(jì)算等新型計(jì)算架構(gòu)逐漸成為研究熱點(diǎn)。本文綜述了神經(jīng)形態(tài)器件和芯片的發(fā)展與研究進(jìn)展,介紹了存算一體化架構(gòu)和神經(jīng)形態(tài)架構(gòu)的原理。重點(diǎn)介紹了電荷式存儲(chǔ)器和阻變式存儲(chǔ)器等人工突觸器件在存算一體化中的應(yīng)用,探討了它們在模擬生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)方面的潛力。本文還分析了幾種典型的類腦芯片,包括IBM的TrueNorth、斯坦福大...
燒結(jié)工藝對多層陶瓷電容式濾波器表面孔洞及微觀形貌的影響————作者:趙祥廣;鄧兵;沈詩垚;劉季超;肖倩;王勝剛;
摘要:本文系統(tǒng)分析了燒結(jié)曲線、燒結(jié)匣缽及埋粉燒結(jié)對多層陶瓷電容式濾波器表面孔洞及微觀形貌的影響規(guī)律,深入研究了BaTiO3基陶瓷材料的燒結(jié)機(jī)理。工藝實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:優(yōu)化燒結(jié)曲線可以提高濾波器的燒結(jié)致密性;使用涂層匣缽和預(yù)制粉埋燒可以解決瓷體表面孔洞問題。通過優(yōu)化燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間和升溫速率,提高了瓷體強(qiáng)度及致密性;在基體陶瓷材料制漿后,通過制作匣缽?fù)繉觼砀艚^產(chǎn)品與匣缽之間的接觸,阻止...
基于喹喔啉的藍(lán)色熱激子熒光材料合成及光電性能研究————作者:王寶月;張凱旗;廖浩森;胡文博;曹一銘;簡驛驊;李曉;
摘要:能夠有效利用三重態(tài)激子的純有機(jī)藍(lán)色熒光材料是有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)的迫切需求之一。本文以喹喔啉作為受體,連接兩個(gè)或者四個(gè)咔唑給體,構(gòu)建了兩種具有熱激子通道的新型藍(lán)色熒光材料QDC和DCQDC。通過在喹喔啉的6-和7-位上連接咔唑,成功將分子的激發(fā)態(tài)從電荷轉(zhuǎn)移態(tài)調(diào)控到局域雜化和電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)。QDC和DCQDC在溶液中分別展現(xiàn)出最大發(fā)射波長為435和480nm的藍(lán)色發(fā)光。此外,與QDC的發(fā)光效...
基于相變材料鍺銻碲的非易失性光開關(guān)設(shè)計(jì)與仿真————作者:朱炳達(dá);郭麗君;朱葳;耿瑋辰;孫浩恩;
摘要:本文提出了一種基于相變材料(Phase change material, PCM)鍺銻碲(GST)的非易失性光開關(guān),GST的非易失性可以減少光開關(guān)中的靜態(tài)功耗。器件由一個(gè)普通硅波導(dǎo)和一個(gè)硅-GST混合波導(dǎo)組成,其尺寸通過有效折射率的相位匹配和混合波導(dǎo)模場分布來確定。本文仿真了復(fù)合波導(dǎo)中的模場分布,得到了兩個(gè)超模。并且發(fā)現(xiàn),當(dāng)GST處于非晶態(tài)時(shí),復(fù)合波導(dǎo)中存在很強(qiáng)的耦合。仿真結(jié)果表明:該器件的最佳工...
鋁氧簇合物對聚合物薄膜電容器介電性能的影響————作者:王國平;
摘要:電容器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件之一,其中介電層的性能對電容器的整體表現(xiàn)至關(guān)重要。填料摻雜量的增加通常會(huì)提高聚合物基復(fù)合電介質(zhì)的介電常數(shù),但過高的摻雜會(huì)導(dǎo)致界面極化和團(tuán)聚,從而加劇介電損耗,導(dǎo)致高頻電場下電容迅速降低。本研究采用含有高極性氨基異煙酸的AlOC-58NC作為聚合物摻雜劑,考察了其摻雜量對薄膜電容器介電性能的影響。結(jié)果顯示,隨著AlOC-58NC摻雜量的增加,薄膜電容逐漸增大,增幅可達(dá)2...
糖類硬炭材料的制備與儲(chǔ)鈉性能研究————作者:戴邵洋;宋皓煒;周偉健;付千慧;劉鵬;劉道晟;王鳳;鄧健秋;
摘要:以不同分子量的糖類為原料,采用高溫碳化方法制備一系列糖基硬炭負(fù)極材料。通過X射線衍射(XRD)、拉曼光譜和掃描電子顯微鏡(SEM)對其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,并制備了硬炭電極來測試其儲(chǔ)鈉性能。結(jié)果表明,高分子量的淀粉硬炭具有更大的碳層間距和無序度,從而表現(xiàn)出更高的可逆容量為273.2 mAhg-1。經(jīng)過100次循環(huán)后,淀粉硬炭電極仍然保持著252.8 mAhg-1 基于柔性襯底PDMS的鈦酸鋇電光調(diào)制器————作者:易瀟源;朱敏敏; 摘要:電光調(diào)制器是光通信鏈路的核心組件,因此,開發(fā)低半波電壓、大調(diào)制帶寬、低損耗且成本低的電光調(diào)制器是當(dāng)前光通信系統(tǒng)研究的重點(diǎn)任務(wù)。目前,鈮酸鋰是調(diào)制器系統(tǒng)的主要材料,但由于其電光系數(shù)較低,器件性能難以進(jìn)一步提升。鈦酸鋇作為電光系數(shù)比鈮酸鋰高30多倍的鐵電材料,在電光調(diào)制器的研究中具有重要意義。本文通過COMSOL、Lumerical和HFSS軟件對鈦酸鋇調(diào)制器的光學(xué)和射頻參數(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)的仿真、計(jì)算與優(yōu)... 垂直GaN-SBD的場限環(huán)-場板復(fù)合終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)————作者:張峻;鄭理;沈玲燕;周學(xué)通;蘇杭;程新紅; 摘要:垂直GaN-SBD需要采用終端結(jié)構(gòu)緩解陽極邊緣電場集中現(xiàn)象,進(jìn)而提高擊穿電壓。場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)可有效實(shí)現(xiàn)上述功能,但消耗的芯片面積較大,降低了一定面積晶圓上器件的數(shù)量。針對這一問題提出了場限環(huán)-場板復(fù)合終端結(jié)構(gòu),利用場板分散場限環(huán)邊緣的電場,從而在保持器件擊穿電壓的同時(shí)減少場限環(huán)數(shù)量,減小器件的面積。通過TCAD仿真系統(tǒng)地研究了場限環(huán)-場板復(fù)合終端結(jié)構(gòu)對垂直GaN-SBD擊穿電壓及陽極邊緣附近的電場... 激光退火技術(shù)在分立器件中應(yīng)用的研究————作者:王雷; 摘要:激光退火是一種激活效率高,熱預(yù)算小,激活深度可控的激活工藝,對具有垂直結(jié)構(gòu)的分立器件進(jìn)行背面注入退火激活時(shí),可以大大降低熱預(yù)算,避免背面工藝對正面器件的影響,進(jìn)一步降低超薄片在加工中因形變導(dǎo)致的翹曲和碎裂。本文以FS-IGBT背面注入退火為例,對激光退火工藝參數(shù)與激光退火設(shè)備硬件參數(shù)進(jìn)行了研究,在傳統(tǒng)激光退火理論模型的基礎(chǔ)上,首次通過理論分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了多光束激光退火設(shè)備的交疊時(shí)間與交疊范圍、... 相關(guān)科技期刊推薦 核心期刊推薦
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