人工晶體學(xué)報
所屬欄目：科技期刊 熱度： 時間：
《人工晶體學(xué)報》
關(guān)注()- 期刊周期：月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內(nèi)統(tǒng)一刊號：11-2637/O7
- 國際標(biāo)準(zhǔn)刊號：1000-985X
- 主辦單位：中材人工晶體研究院
- 主管單位：中國建材工業(yè)協(xié)會
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【雜志簡介】
《人工晶體學(xué)報》是由中國硅酸鹽學(xué)會晶體生長與材料分會和中非人工晶體研究院聯(lián)合主辦，由《人工晶體學(xué)報》編輯委員會編輯，人工晶體學(xué)報社出版的國家級學(xué)術(shù)性期刊，是我國唯一專門刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學(xué)術(shù)性刊物�！度斯ぞw學(xué)報》以“讓中國晶體走向世界讓世界關(guān)注中國晶體”為己任，論文年內(nèi)容集中反映了我國人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果，覆蓋了本學(xué)科的所有研究項目和應(yīng)用領(lǐng)域，成為世界了解我國人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口�！度斯ぞw學(xué)報》以論文和簡報等形式及時報道我國在晶體材料：半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果，同時介紹國內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動及會展信息。刊戶覆蓋以上各行業(yè)的大專院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營單位和省(市)圖書館、政府相關(guān)部門，該刊已在美、日、英、俄、德等國家和地區(qū)發(fā)行。學(xué)報編委會由全國30多位知名院士、教授和專家組成，負(fù)責(zé)確定《學(xué)報》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。
本刊為美國《工程索引》(EI)收錄源期刊;此外，早已收錄《學(xué)報》的其它國際著名檢索系統(tǒng)有：美國《化學(xué)文摘》(CA)，英國《科學(xué)文摘》(INSPEC)，日本《科技文獻(xiàn)速報》(JICST)，俄羅斯《文摘雜志》(AJ)。在國內(nèi)，《人工晶體學(xué)報》為"中文核心期刊";已被《中國科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫》收錄，全文內(nèi)容在"萬方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng);被《中國期刊網(wǎng)》、《中國學(xué)術(shù)期刊(光盤版)》全文收錄;是《中國學(xué)術(shù)期刊綜合評價數(shù)據(jù)庫》來源期刊;《中國學(xué)術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國優(yōu)秀科技期刊”獎,并多次榮獲部級“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎勵。經(jīng)過多年的發(fā)展，目前《人工晶體學(xué)報》日益受到國內(nèi)外讀者的廣泛歡迎，受到美國、俄羅斯、日本、捷克等國外科研企業(yè)的高度關(guān)注，國外有關(guān)公司已通過《學(xué)報》所展示的信息與國內(nèi)有關(guān)單位進(jìn)行了廣泛接觸與交流。他們的目標(biāo)是追蹤高科技前沿，主推高學(xué)術(shù)水平，展示技術(shù)與工程的結(jié)合，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
1997年獲全國第二屆優(yōu)秀科技期刊獎
1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎
1989年獲優(yōu)秀期刊獎
【欄目設(shè)置】
主要欄目：學(xué)術(shù)論文、簡報。
雜志優(yōu)秀目錄參考：
1 制約硅晶片減薄因素研究分析 劉騰云;葛培琪;高玉飛; 1719-1724
2 應(yīng)變對單層碘化鉛的能帶及光電導(dǎo)率影響的第一性原理研究 郝東;朱世富;趙北君;朱興華;何知宇;楊定宇;孫輝; 1725-1730+1747
3 YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超導(dǎo)薄膜的制備及其特性研究 汪薪生;郭峰;任澤龍;李國興;張寶林; 1731-1735
4 聚吡咯修飾鋰釩氧納米管的制備及其電化學(xué)性能研究 崔朝軍;孫興川;李現(xiàn)常;李成波;牛永生; 1736-1740+1747
5 4H-SiC的強(qiáng)氧化液化學(xué)機(jī)械拋光(英文) 梁慶瑞;胡小波;陳秀芳;徐現(xiàn)剛;宗艷民;王希杰; 1741-1747
6 基于負(fù)性光刻膠掩膜的濕法多晶硅制絨 丁彬;程現(xiàn)鐵;徐國慶;張宏; 1748-1753
7 PET在乙酸溶液中的晶體生長探索 蘇佳樂;常新安;陳學(xué)安;肖衛(wèi)強(qiáng);張書峰;臧和貴; 1754-1757
8 Sc_2O_3對水熱法生長ZnO晶體的影響 左艷彬;周海濤;王金亮;何小玲;任孟德;張昌龍; 1758-1763
9 氯氧化鉍晶體的制備及其表征研究 馬春陽;吳飛飛;王金東;肖清貴;徐紅彬; 1764-1767+1772
10 近紫外白光LED用KBa_2(NbO_3)_5∶Eu3+紅色熒光粉的合成與發(fā)光性能 李登宇;王海波;朱月華;邢海東;施豐華;卓寧澤; 1768-1772
11 三元納米層狀Ta_2AlC原位合成機(jī)制 田寶娜;應(yīng)國兵;王鵬舉;王乘;吳玉萍; 1773-1777
12 負(fù)極集流體為CNT導(dǎo)電紙的鋰離子電池及其性能 劉珍紅;孫曉剛;吳小勇;龐志鵬;聶艷艷;岳立福; 1778-1782
13 ZnO/TiO_2復(fù)合光陽極染料敏化太陽能電池的研究 王艷香;高智丹;楊志勝;黃麗群;李家科;孫健; 1783-1789
電子技術(shù)應(yīng)用論文：基于隨機(jī)森林的跌倒檢測算法
摘要：針對現(xiàn)有跌倒檢測算法由于缺乏真實老人跌倒樣本以及使用年輕人仿真跌倒樣本規(guī)模較小導(dǎo)致的過擬合和適應(yīng)性不足等問題，提出了基于隨機(jī)森林的跌倒檢測算法。該算法采用滑動窗口機(jī)制，對窗口內(nèi)的加速度數(shù)據(jù)進(jìn)行時間域和變換域處理，提取時間域和變換域特征參數(shù)后，在所有樣本集中進(jìn)行有放回的Bootstrap隨機(jī)抽樣和屬性隨機(jī)選擇，構(gòu)建多個基于最佳屬性分割的支持向量機(jī)(SVM)基本分類器。在線跌倒檢測階段，對多個SVM基本分類器的分類結(jié)果采用少數(shù)服從多數(shù)的原則，給出最終判定結(jié)果。實驗表明，隨機(jī)森林跌倒檢測算法可獲得95.2%的準(zhǔn)確率、90.6%的敏感度和93.5%的特異性，明顯優(yōu)于基于SVM和反向傳播(BP)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)跌倒檢測算法，反映出隨機(jī)森林跌倒檢測算法能更準(zhǔn)確地檢測跌倒行為，具有較強(qiáng)的泛化能力和魯棒性。
關(guān)鍵詞：跌倒檢測,隨機(jī)森林,支持向量機(jī),反向傳播神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),屬性
人工晶體學(xué)報最新期刊目錄
側(cè)壁修復(fù)提升237 nm AlGaN基Micro-LED光功率密度研究————作者：郝家龍;李宏博;呂順鵬;朱立財;孫文超;張若甲;劉鐘旭;蔣科;賁建偉;張山麗;孫曉娟;黎大兵;
摘要：AlGaN基深紫外Micro-LED在無掩膜光刻、日盲紫外保密通信等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。然而，側(cè)壁效應(yīng)和電流擁擠效應(yīng)嚴(yán)重制約其高電流密度下的光功率密度。本研究制備了發(fā)光波長237 nm，臺面半徑分別為12.5、25.0、50.0 μm的深紫外Micro-LED，并系統(tǒng)探究了側(cè)壁損傷修復(fù)對不同尺寸和不同陣列化Micro-LED的影響規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn)，使用KOH修復(fù)側(cè)壁可有效降低AlGaN基深紫外Mi...
白云石精制液可控制備高長徑比碳酸鈣晶須的研究————作者：于豐;鄭強(qiáng);齊婷玉;張郁柏;馬亞麗;賈松巖;李雪;
摘要：以高濃度的白云石精制液為原料，采用碳化法制備高長徑比文石型碳酸鈣晶須。采用XRD、SEM、TEM等對碳酸鈣晶須樣品進(jìn)行表征，主要考察了碳化溫度、攪拌速率、CO2通氣速率、陳化時間對碳酸鈣分散程度和長徑比的影響。研究結(jié)果表明，制備碳酸鈣晶須的最佳工藝條件為：碳化溫度為80 ℃，CO2通氣速率為25 mL/min，攪拌速率為200 r/min，陳化時間為1 ...
加熱器結(jié)構(gòu)對輕摻磷超低氧直拉單晶硅氧雜質(zhì)分布的影響————作者：商潤龍;陳亞;芮陽;王黎光;馬成;伊冉;楊少林;
摘要：絕緣柵雙極晶體管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷瑥V泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天及電動汽車等領(lǐng)域。作為IGBT芯片的襯底材料，輕摻磷超低氧硅晶圓的品質(zhì)對IGBT芯片的性能起著至關(guān)重要的作用。由于直拉法（Czochralski，Cz）單晶硅拉制的過程中需要用到含氧的石英坩堝，生長的單晶硅氧含量通常達(dá)到4×10...
缺陷氨氟復(fù)合功能化UiO-66的制備及其青蒿琥酯吸附性能的研究————作者：王子豪;劉嘉鈺;董子豪;王宇鑫;許雅旭;朱禹;
摘要：青蒿琥酯，是一種青蒿素衍生的倍半萜類抗瘧藥物，因其對瘧原蟲的特異作用而引起醫(yī)藥科學(xué)家的關(guān)注。然而，青蒿琥酯提取步驟復(fù)雜，需要使用大量有機(jī)溶劑且能耗高。本實驗利用金屬-有機(jī)框架材料易修飾和多孔的特性，構(gòu)筑出一類功能化的UiO-66應(yīng)用于青蒿琥酯吸附研究。選用氨基和氟基作為親疏水基團(tuán)，研究不同比例對青蒿琥酯的吸附性能，同時考慮到UiO-66孔徑尺寸較青蒿琥酯更小，通過添加適量水分子，構(gòu)筑缺陷的功能化鋯...
二維BC6N/BN橫向異質(zhì)結(jié)的電學(xué)輸運性質(zhì)研究————作者：解憂;肖瀟颯;姜寧寧;張濤;
摘要：二維異質(zhì)結(jié)具有新穎的物理和化學(xué)性質(zhì)，在納米電子器件中具有重要應(yīng)用前景。本文構(gòu)建了一種新型BC6N/BN橫向異質(zhì)結(jié)，基于第一性原理結(jié)合非平衡態(tài)格林函數(shù)方法，對其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、電子結(jié)構(gòu)、電導(dǎo)率及伏安特性進(jìn)行了系統(tǒng)研究。穩(wěn)定的BC6N/BN橫向異質(zhì)結(jié)擁有2.01 eV的直接帶隙，異質(zhì)結(jié)界面處產(chǎn)生靜電勢差，電子與空穴在界面形成了電勢壘。相較于兩個單層材料，BC LiNbO3/ITO異質(zhì)結(jié)薄膜的制備及光電性質(zhì)研究————作者：朱家怡;杜帥;周鵬飛;鄭凡;陳云琳; 摘要：在200 ℃下采用磁控濺射方法在玻璃襯底與硅基板上濺射沉積LiNbO3/ITO（LN/ITO）異質(zhì)結(jié)薄膜。通過X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、紫外可見分光光度計和變溫霍爾效應(yīng)等測試了該薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及光電性質(zhì)。XRD測試結(jié)果表明，相比于ITO/LN，LN/ITO疊層順序有更優(yōu)的生長取向和結(jié)晶性能。AFM結(jié)果顯示，200 ℃下異質(zhì)結(jié)薄膜表面較為平整，鮮少有凸起。... 鈣鈦礦太陽電池中的脒基小分子界面修飾策略————作者：王智超;葉林峰;阮妙;楊超;加雪峰;倪玉鳳;郭永剛;高鵬; 摘要：為了鈍化鈣鈦礦中存在的缺陷，提高鈣鈦礦薄膜質(zhì)量，設(shè)計了一種新型的小分子2-氨基乙脒二氫溴酸鹽（2AD）對鈣鈦礦((FA0.90MA0.05Cs0.05)Pb(I0.96Br0.04)3)薄膜進(jìn)行界面修飾，使用氯苯作為反溶劑進(jìn)行1.55 eV帶隙的反式鈣鈦礦太陽電池器件... 一步碳化法制備木棉纖維多孔碳及其對鋅負(fù)極穩(wěn)定性的影響————作者：宋琪;蔣玲;陳鴻明;李輝富;黃朔;駱麗杰;陳擁軍; 摘要：鋅離子電容器是新興電化學(xué)儲能設(shè)備理想的選擇之一，然而金屬鋅與水系電解液之間的熱力學(xué)反應(yīng)會引發(fā)腐蝕和不可控的鋅枝晶生長，嚴(yán)重影響了鋅離子電容器的庫侖效率和使用壽命。為了抑制水系電解液中鋅負(fù)極的不良副反應(yīng)，本文利用木棉纖維生物質(zhì)材料通過一步碳化法制備了具有亞納米通道的多孔碳材料(FC)，并將其涂覆在鋅負(fù)極表面獲得Zn@FC復(fù)合負(fù)極。FC中的亞納米通道可以不斷地吸附溶劑化鋅離子中的水分子，并促進(jìn)逐步去溶... 近紅外Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點光纖的研究進(jìn)展————作者：李帥;張蕾; 摘要：半導(dǎo)體量子點材料具有獨特的光學(xué)和電學(xué)特性，在LED、太陽能電池、熒光探針、催化等領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用潛力，尤其是Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點材料，熒光光譜處于近紅外波段且可以覆蓋光纖通信窗口，將其制備成量子點摻雜的光纖在光纖通信領(lǐng)域具有較為廣泛的應(yīng)用。目前發(fā)展的Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點摻雜光纖的制備方法主要有改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法、溶膠凝膠膜涂覆法、空心光纖灌裝固化法、高溫熔融直接拉絲法、管內(nèi)熔融法、玻璃毛細(xì)管... 低位錯6英寸銻化鎵單晶生長與性能研究————作者：楊文文;盧偉;謝輝;劉剛;呂鑫雨;擺易寒;李晨慧;潘教青;趙有文;沈桂英; 摘要：銻化鎵因其優(yōu)越的物理特性和重要的應(yīng)用價值而受到廣泛關(guān)注。研究團(tuán)隊采用液封直拉技術(shù)成功生長出國內(nèi)首根6英寸n型摻Te銻化鎵單晶錠，加工制備出高質(zhì)量6英寸（1英寸=2.54 cm）銻化鎵單晶襯底，并對晶體結(jié)晶質(zhì)量和晶片表面性質(zhì)進(jìn)行了研究。測試結(jié)果表明，銻化鎵襯底（400）面搖擺曲線半峰寬僅為20＂，平均位錯密度約為3177 cm-2，表面粗糙度Rq為0.42... 含d10電子構(gòu)型鎢酸鹽結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的第一性原理研究————作者：崔健;和志豪;丁家福;王云杰;萬俯宏;李佳郡;蘇欣; 摘要：本文基于第一性原理方法對比研究了鎢酸鹽TMWO4（TM=Zn、Cd、Hg）的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。研究結(jié)果表明，ZnWO4、CdWO4和HgWO4三種鎢酸鹽的帶隙均為直接帶隙，帶隙寬度分別為2.579、2.081和2.538 eV。三種鎢酸鹽價帶頂部主要為O-2p態(tài)貢獻(xiàn)，由于雜化效應(yīng)，O-2p態(tài)和W-5d態(tài)共同組... Li2MoO4晶體的坩堝下降法生長及其發(fā)光性能————作者：劉文宇;錢露;李芳建;潘尚可;孫志剛;陳紅兵;潘建國; 摘要：基于無中微子雙β衰變低溫輻射探測器的研究，本文研究了Li2MoO4晶體生長以及發(fā)光性能。以市售Li2MoO4粉末為初始原料，采用水平區(qū)熔法提純，隨后通過坩堝下降法生長得到一英寸Li2MoO4透明晶體。對晶體進(jìn)行了物相分析與發(fā)光性能表征。X射線粉末衍射結(jié)果顯示，晶體屬于... 咪唑基離子液修飾鈣鈦礦太陽能電池及其性能研究————作者：加雪峰;阮妙;葉林峰;倪玉鳳;郭永剛;高鵬; 摘要：寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池是晶硅－鈣鈦礦疊層電池的主要組成部分。寬帶隙鈣鈦礦材料存在缺陷密度大、非輻射復(fù)合嚴(yán)重等問題，限制了寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池的發(fā)展。為改善這些問題，本研究提出了一種利用離子液1-丁基-3-甲基咪唑甲磺酸鹽（BMM）修飾鈣鈦礦薄膜的方法。通過研究不同濃度BMM添加劑對鈣鈦礦薄膜及其電池性能的影響，發(fā)現(xiàn)調(diào)控BMM的添加量能夠提升結(jié)晶質(zhì)量，減少薄膜內(nèi)部的缺陷，從而提高鈣鈦礦太陽能電池性... 對稱氧化限制結(jié)構(gòu)提高795 nm VCSEL單模功率————作者：賈秀陽;賈志剛;董海亮;陳小東;高茂林;許并社; 摘要：795 nm垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)作為銣原子鐘和量子陀螺儀的激光光源，一般采用單氧化限制結(jié)構(gòu)保證單模輸出，但這種結(jié)構(gòu)輸出功率較小且功耗較高。本文利用PICS3D軟件首先對不同位置單氧化限制層進(jìn)行模擬分析，結(jié)果表明，氧化限制層越靠近有源區(qū)，其對載流子的限制能力越強(qiáng)，因此在相同的注入電流條件下器件的輸出功率越高。在此基礎(chǔ)上設(shè)計了靠近有源區(qū)對稱雙氧化限制和四氧化限制結(jié)構(gòu)VCSEL，與傳統(tǒng)單氧化... 寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅基核輻射探測器研究進(jìn)展————作者：杜青波;楊亞鵬;高旭東;張智;趙曉宇;王惠琦;劉軼爾;李國強(qiáng); 摘要：碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、大晶體原子離位閾能及高電子空穴遷移速率等眾多突出優(yōu)勢，基于其研制的SiC核輻射探測器具有耐高溫、抗輻照、體積小、響應(yīng)快等優(yōu)點。高質(zhì)量、大尺寸SiC晶體材料與外延生長技術(shù)及器件制備工藝的不斷提升，極大地促進(jìn)了SiC基核輻射探測器的發(fā)展。本文從SiC核輻射探測器的原理及性能評價指標(biāo)入手，分析了輻射探測時SiC材料與各種輻射粒子相互作用的方式、主要性能指標(biāo)，以及它們... 具有超高載流子遷移率單層C2B6的預(yù)測————作者：任龍軍;柴什虎;王付遠(yuǎn);姜萍; 摘要：二維材料具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性能，在納米器件的應(yīng)用中具有絕對優(yōu)勢。本研究提出了一種新型二維材料(單層C2B6)，通過第一性原理模擬計算了其動態(tài)和熱穩(wěn)定性。有趣的是，單層C2B6具有半導(dǎo)體特性，HSE06計算方法得出其僅具有約0.671 eV的超窄帶隙。而單層C2B6中... 彎曲彈性梁多穩(wěn)態(tài)超材料帶隙調(diào)控特性研究————作者：魏玉華;陳新華;蔣帥;王建廣;李小雙; 摘要：多穩(wěn)態(tài)超材料能夠在外部力作用下發(fā)生變形，從而實現(xiàn)對彈性波傳播的靈活調(diào)控。本文基于雙穩(wěn)態(tài)彎曲彈性梁結(jié)構(gòu)，提出了兩種不同維度彎曲彈性梁多穩(wěn)態(tài)超材料，該超材料具有兩種穩(wěn)定構(gòu)型，并能夠通過外部力的作用在這兩種穩(wěn)定狀態(tài)之間切換。通過有限元方法，系統(tǒng)研究了多穩(wěn)態(tài)超材料在兩種穩(wěn)定構(gòu)型下的色散關(guān)系和頻率響應(yīng)特性。研究結(jié)果表明，通過調(diào)節(jié)外部施加的力，可以實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的形變，從而有效地調(diào)整帶隙的頻率范圍和寬度。此外，... 殘余應(yīng)力及電場對4H-SiC表面壓痕硬度的影響————作者：朱興杰;章平;左敦穩(wěn); 摘要：本文利用研磨加工得到不同表面殘余應(yīng)力狀態(tài)的4H-SiC樣品，采用激光拉曼光譜儀測量樣品表面的殘余應(yīng)力，通過顯微硬度計測量無電場和有電場時的樣品表面壓痕硬度。結(jié)果發(fā)現(xiàn)：與無殘余應(yīng)力相比，在-1.6～0 GPa的殘余壓應(yīng)力狀態(tài)下，樣品表面壓痕硬度最大升高了9.5%；對樣品通入一定電流后，無殘余應(yīng)力樣品的表面壓痕硬度可下降約6%，有殘余應(yīng)力樣品的表面壓痕硬度可下降13%。對-1.6～1.6 GPa不同殘... 基于改進(jìn)U-Net的BGO晶體粗加工磨砂面弱劃痕分割算法————作者：陶文峰;張曉龍;朱海波; 摘要：BGO晶體通常需要通過切割、磨削等粗加工步驟制作磨砂面以提升元件性能，其粗加工過程中劃痕缺陷的提取和預(yù)檢對后續(xù)晶體元件的質(zhì)量評估極為重要。然而，傳統(tǒng)工業(yè)機(jī)器視覺算法難以精細(xì)分割晶體粗加工磨砂面上的弱劃痕，極大地影響了后續(xù)晶體品質(zhì)的檢測效率。針對磨砂面弱劃痕難以精確分割的難題，本文采用了一種改進(jìn)的U-Net深度學(xué)習(xí)算法，該算法在U-Net基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)中嵌入了輕量級CBAM注意力機(jī)制，提升網(wǎng)絡(luò)對淺劃痕特征... 應(yīng)變對Si摻雜A-TiO2光學(xué)性質(zhì)影響的第一性原理研究————作者：張家琪;林雪玲;田文虎;馬文杰;張秀;馬小偉;朱巧萍;郝睿;潘鳳春; 摘要：運用基于密度泛函理論的第一性原理計算方法，研究了Si摻雜銳鈦礦相TiO2的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，以及應(yīng)變對Si摻雜體系光學(xué)性質(zhì)的調(diào)控。研究結(jié)果表明: Si摻雜形成的兩種替位式缺陷中，SiTi缺陷不能有效改善TiO2的光學(xué)性能，而SiO缺陷的引入提高了摻雜體系對可見光區(qū)和紅外光區(qū)光子的吸收，并且其光學(xué)吸收譜的吸收邊... 相關(guān)科技期刊推薦 核心期刊推薦
